一般セッション(口頭講演)
[6a-C21-1~12] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術
2017年9月6日(水) 09:15 〜 12:15 C21 (C21)
△:奨励賞エントリー
▲:英語発表
▼:奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄:どちらもなし
09:15 〜 09:30
〇小又 祐介1、 青木 孝1、 佐々木 智一2、 水野 智久1 (1.神奈川大理、2.東芝ナノアナリシス)
09:30 〜 09:45
〇中田 真史1、 山本 将暉1、 入江 翔1、 小又 祐介1、 青木 孝1、 鮫島 俊之2、 水野 智久1 (1.神奈川大理、2.東京農工大工)
09:45 〜 10:00
〇國枝 汰門1、 渡部 亨1、 マイ ホンミン1、 羽深 等1 (1.横国大院工)
10:00 〜 10:15
〇渡部 亨1、 マイ ホンミン1、 羽深 等1 (1.横国大院工)
10:15 〜 10:30
〇佐川 達郎1、 中村 昌幸1、 小林 貴之1、 立田 利明1、 本山 慎一1 (1.サムコ㈱)
10:30 〜 10:45
〇須田 隆太郎1、 小島 明1、 白樫 淳一1、 越田 信義1 (1.農工大・院・工)
10:45 〜 11:00
〇大参 宏昌1、 平野 達也1、 久保田 雄介2、 白数 佳紀1、 垣内 弘章1、 安武 潔1 (1.阪大院工、2.東京エレクトロン(株))
11:00 〜 11:15
〇八木 麻実子1、 白樫 淳一1 (1.東京農工大院工)
11:15 〜 11:30
〇(M2)城戸 光一1、 安藤 大輔1、 須藤 祐司1、 小池 淳一1 (1.東北大工)
11:30 〜 11:45
〇渡部 善幸1、 矢作 徹1、 阿部 泰1、 村山 裕紀1 (1.山形工技セ)
11:45 〜 12:00
〇(M2)佐藤 匡1、 前田 真吾1、 山西 陽子2 (1.芝浦工大、2.九大)
12:00 〜 12:15
柄﨑 克樹1、 熊谷 慎也1、 〇佐々木 実1 (1.豊田工大)