一般セッション(ポスター講演)

[19p-P3-1~7] 13.3 絶縁膜技術

2016年3月19日(土) 13:30 〜 15:30 P3 (屋内運動場)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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13:30 〜 15:30

[19p-P3-1] HfO₂/GeO₂/Geスタック構造におけるゲルマニウムと酸素の熱拡散に関する研究

〇小川慎吾^1,2、淺原亮平²、箕浦佑也²、迫秀樹¹、川崎直彦¹、山田一子¹、宮本隆志¹、細井卓治²、志村考功²、渡部平司² (1.TRC、2.阪大院工)

13:30 〜 15:30

[19p-P3-2] Radical-enhanced ALD法によるGe-MIS構造の欠陥評価(2);熱処理効果

〇成田英史¹、山田大地²、福田幸夫²、岡本浩¹ (1.弘前大、2.諏訪東京理科大)

13:30 〜 15:30

▲ [19p-P3-3] Characterization of sol-gel derived Nb doped ZrO₂ thin film

〇金胄男¹、 Tokumitu Eisuke¹ (1.JAIST)

13:30 〜 15:30

[19p-P3-4] GaNパワートランジスタのためのゲート酸化膜堆積技術の開発

高木翔太¹、荒井哲司¹、有元圭介¹、山中淳二¹、〇中川清和¹、高松利行²、上野勝典³ (1.山梨大、2.SST、3.富士電機)

13:30 〜 15:30

[19p-P3-5] GaN MOSデバイスのゲート絶縁膜に向けたAl₂O₃とSiO₂の混合膜の検討

〇菊田大悟¹、伊藤健治¹、成田哲生¹、森朋彦¹ (1.豊田中研)

13:30 〜 15:30

[19p-P3-6] 高温・高湿環境下でのシリコン窒化膜表面酸化

〇奥友希¹、志賀俊彦¹、戸塚正裕¹、渡辺斉¹ (1.三菱電機　波光電)

13:30 〜 15:30

▲ [19p-P3-7] Research on passivation of semicounductor surfaces by heat treatment in liquid water

〇元木孝優城¹、中村友彦¹、蓮見真彦¹、鮫島俊之¹、水野智久² (1.農工大、2.神奈川大)

一般セッション(口頭講演)

[20a-S221-1~12] 13.3 絶縁膜技術

2016年3月20日(日) 09:00 〜 12:15 S221 (南2号館)

石田猛(日立)、小山正人(東芝)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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09:00 〜 09:15

[20a-S221-1] Siピラーの酸化におけるミッシングSiとSi放出機構の拡張

〇影島博之^1,4、白石賢二^2,4、遠藤哲郎^3,4 (1.島根大、2.名古屋大、3.東北大、4.JST-ACCEL)

09:15 〜 09:30

[20a-S221-2] V-MOSFETにおけるSi/SiO₂(001)界面における熱酸化過程、水素アニール効果の歪み依存性の第一原理計算による考察

〇(M1)川内伸悟¹、白川裕規¹、洗平昌晃^2,1,5、影島博之^3,5、遠藤哲郎^4,5、白石賢二^2,1,5 (1.名大院工、2.名大未来研、3.島根大院総合理工、4.東北大院工、5.JST-ACCEL)

09:30 〜 09:45

△ [20a-S221-3] 電荷移動型分子動力学法により作成したSi/SiO₂界面構造の評価

〇(D)高本聡¹、山崎隆浩^2,3、大野隆央^2,3,4、金田千穂子^3,5、泉聡志¹、酒井信介¹ (1.東大工、2.物材機構、3.MARCEED、4.東大生産研、5.富士通研究所)

09:45 〜 10:00

[20a-S221-4] レーザーテラヘルツ放射顕微鏡によるシリコンMOS界面の評価

〇望月敏光¹、伊藤明²、中西英俊²、棚橋克人¹、川山巌³、斗内政吉³、白澤勝彦¹、高遠秀尚¹ (1.産総研、2.SCREENホールディングス、3.阪大レーザー研)

10:00 〜 10:15

▲ [20a-S221-5] Charge retention characteristics of charge trapping nonvolatile memories with silicon carbonitride (SiCN) dielectrics (II)

〇(D)Ahmed SheikhRashel Al¹、 Uehara Fumiya²、 Kobayashi Kyoteru^1,2 (1.GRAD SCH S&T, Tokai Univ、2.GRAD SCH Eng, Tokai Univ)

10:15 〜 10:30

[20a-S221-6] アモルファスシリコンTFT 閾値電圧のゲート絶縁膜依存性

〇安藤正彦¹、若木政利¹、鬼沢賢一² (1.日立研開、2.古賀総研)

10:45 〜 11:00

▲ [20a-S221-7] Thermodynamic Control of GeO₂ Suppression in SiGe Oxidation by p_O2 and Temperature Manipulation

〇(D)宋宇振¹、鳥海明¹ (1.東大院工)

11:00 〜 11:15

[20a-S221-8] PLDによるルチル型TiO₂/Ge 作製条件の検討

〇(M1)鈴木良尚^1,2、長田貴弘²、山下良之²、生田目俊秀²、小椋厚志¹、知京豊裕² (1.明治大学大学院、2.物質・材料研究機構)

11:15 〜 11:30

[20a-S221-9] La_2xA_2(1-x)O₃(A=Lu, Y)/La₂O₃/Ge(111) MIS構造におけるC-V特性の改善

〇金島岳¹、銭高真人¹、山本圭介²、山城陸¹、只野純平³、野平博司³、中島寛²、山田晋也¹、浜屋宏平¹ (1.阪大基礎工、2.九大・産学連携センター、3.東京都市大工)

11:30 〜 11:45

[20a-S221-10] ゲートスタック中へのAl導入によるGe p-MOSFETの正孔移動度向上

〇永冨雄太¹、田中慎太郎¹、建山知輝¹、山本圭介²、王冬¹、中島寛² (1.九大総理工、2.九大産連センター)

11:45 〜 12:00

[20a-S221-11] Al₂O₃キャップ層によるGeO脱離抑制と電気特性の評価

〇大竹博義¹ (1.東京農工大・工)

12:00 〜 12:15

▼ [20a-S221-12] Influence of Al₂O₃/GeO_x/Ge MOS interface structures on the slow trap density

〇(D)柯夢南^1,2、玉虓^1,2、竹中充^1,2、高木信一^1,2 (1.東大、2.JST-CREST)

一般セッション(口頭講演)

[20p-S221-1~17] 13.3 絶縁膜技術

2016年3月20日(日) 13:45 〜 18:15 S221 (南2号館)

渡邉孝信(早大)、舟窪浩(東工大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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13:45 〜 14:00

[20p-S221-1] 【注目講演】コンダクタンス法による二硫化モリブデンMOS界面特性評価

〇小澤悠平^1,2、竹中充^1,2、高木信一^1,2 (1.東大院工、2.JST-CREST)

14:00 〜 14:15

▲ [20p-S221-2] Improvement of MOS Interfaces of La₂O₃/InGaAs by Ultra-thin ALD Al₂O₃ Capping Layers

〇(D)張志宇^1,2、竹中充^1,2、高木信一^1,2 (1.東大院工、2.JST-CREST)

14:15 〜 14:30

[20p-S221-3] Al₂O₃中の水素分布評価ー熱処理温度依存性ー

〇清水康雄¹、韓斌¹、涂远¹、井上耕治¹、矢野史子²、井上真雄³、国宗依信⁴、島田康弘⁴、片山俊治⁴、井手隆⁴、永井康介¹ (1.東北大金研、2.東工大、3.ルネサス、4.ルネサスセミコンダクタマニュファクチュアリング)

14:30 〜 14:45

[20p-S221-4] 原子層堆積（ALD）温度を変えて形成したAl₂O₃膜の電気特性

〇平岩篤¹、松村大輔²、川原田洋^1,2 (1.早大ナノライフ、2.早大理工)

14:45 〜 15:00

△ [20p-S221-5] DMAHを用いた原子層堆積によるAl₂O₃誘電膜の形成

〇吉嗣晃治¹、石河泰明¹、高橋清²、浦岡行治¹ (1.奈良先端大、2.日本アルキルアルミ)

15:00 〜 15:15

▲ [20p-S221-6] Anomalous Flatband Voltage Shift of AlF_xO_y/Al₂O₃ MOS Capacitors: Dipole Layer Formation at Dielectric Interfaces with Different Anions

〇(D)Fei Jiayang¹、 Kita Koji¹ (1.The Univ. of Tokyo)

15:15 〜 15:30

△ [20p-S221-7] Al₂O₃/SiO₂界面のダイポール層の繰り返し構造を利用した大きなフラットバンド電圧シフト(>1 V)

〇鎌田啓伸¹、喜多浩之¹ (1.東大院工)

15:30 〜 15:45

△ [20p-S221-8] ZrO₂/Al₂O₃/ZrO₂スタック構造を用いたDRAMキャパシタにおけるリーク電流特性の改善

〇(B)女屋崇^1,2、生田目俊秀²、澤田朋実²、栗島一徳^1,2、大井暁彦²、知京豊裕²、小椋厚志¹ (1.明治大学、2.物材機構 WPI-MANA)

15:45 〜 16:00

[20p-S221-9] ZrO2/Si構造における界面層作製手法の検討

〇杉野優介¹、岩崎好孝¹、上野智雄¹ (1.農工大院工)

16:00 〜 16:15

[20p-S221-10] 不純物添加による酸化ランタン薄膜の耐湿性向上

〇安達裕¹、坂口勲¹ (1.物材機構)

16:30 〜 16:45

[20p-S221-11] 液相堆積法によるSrTiO₃のイオンドリフトの影響

〇(M1C)國光俊作¹、稲野基¹、羽路伸夫¹ (1.横国大院工)

16:45 〜 17:00

△ [20p-S221-12] 放射光XRDによる強誘電Hf(Y)O薄膜結晶構造の温度依存性解析

〇高石理一郎¹、井野恒洋¹、藤井章輔¹ (1.東芝)

17:00 〜 17:15

[20p-S221-13] FT-IR法を用いた強誘電性HfSiO膜の構造解析による電気特性のプロセス依存性に対する考察

〇上牟田雄一¹、藤井章輔¹、高石理一郎¹、井野恒洋¹、中崎靖¹、齋藤真澄¹、小山正人¹ (1.東芝研開セ)

17:15 〜 17:30

▼ [20p-S221-14] New finding of ferroelectricity of N doped HfO₂ films

〇(D)Xu Lun¹、 Nishimular Tomonori¹、 Shibayama Shigehisa¹、 Yajima Takeaki¹、 Migita Shinji²、 Toriumi Akira¹ (1.Univ. Tokyo、2.AIST)

17:30 〜 17:45

[20p-S221-15] ラマン分光測定及びXRDによる強誘電性YドープHfO₂の構造解析

〇厳樫一孝¹、柴山茂久^1,2、矢嶋赳彬¹、西村知紀¹、右田真司³、鳥海明¹ (1.東大院工、2.学振特別研究員(PD)、3.産総研)

17:45 〜 18:00

[20p-S221-16] 多相HfO₂膜における均一強誘電相の発現

〇柴山茂久^1,2、徐倫¹、右田真司³、鳥海明¹ (1.東大院工、2.学振特別研究員、3.産総研)

18:00 〜 18:15

[20p-S221-17] 強誘電性HfO₂膜における分極ドメインの減衰

〇柴山茂久^1,2、徐倫¹、右田真司³、鳥海明¹ (1.東大院工、2.学振特別研究員、3.産総研)

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[19p-P3-1~7] 13.3 絶縁膜技術

▲ [19p-P3-3] Characterization of sol-gel derived Nb doped ZrO2 thin film

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[20a-S221-1~12] 13.3 絶縁膜技術

△ [20a-S221-3] 電荷移動型分子動力学法により作成したSi/SiO2界面構造の評価

▲ [20a-S221-5] Charge retention characteristics of charge trapping nonvolatile memories with silicon carbonitride (SiCN) dielectrics (II)

▲ [20a-S221-7] Thermodynamic Control of GeO2 Suppression in SiGe Oxidation by pO2 and Temperature Manipulation

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[20p-S221-1~17] 13.3 絶縁膜技術

▲ [20p-S221-2] Improvement of MOS Interfaces of La2O3/InGaAs by Ultra-thin ALD Al2O3 Capping Layers

△ [20p-S221-5] DMAHを用いた原子層堆積によるAl2O3誘電膜の形成

▲ [20p-S221-6] Anomalous Flatband Voltage Shift of AlFxOy/Al2O3 MOS Capacitors: Dipole Layer Formation at Dielectric Interfaces with Different Anions

△ [20p-S221-7] Al2O3/SiO2界面のダイポール層の繰り返し構造を利用した大きなフラットバンド電圧シフト(>1 V)

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△ [20p-S221-12] 放射光XRDによる強誘電Hf(Y)O薄膜結晶構造の温度依存性解析

▼ [20p-S221-14] New finding of ferroelectricity of N doped HfO2 films

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△ [20p-S221-5] DMAHを用いた原子層堆積によるAl₂O₃誘電膜の形成

▲ [20p-S221-6] Anomalous Flatband Voltage Shift of AlF_xO_y/Al₂O₃ MOS Capacitors: Dipole Layer Formation at Dielectric Interfaces with Different Anions

△ [20p-S221-7] Al₂O₃/SiO₂界面のダイポール層の繰り返し構造を利用した大きなフラットバンド電圧シフト(>1 V)

△ [20p-S221-8] ZrO₂/Al₂O₃/ZrO₂スタック構造を用いたDRAMキャパシタにおけるリーク電流特性の改善

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