〇(D)Xufang Zhang¹、 Dai Okamoto¹、 Tetsuo Hatakeyama²、 Mitsuru Sometani²、 Shinsuke Harada²、 Ryoji Kosugi²、 Noriyuki Iwamuro¹、 Hiroshi Yano¹ (1.U. Tsukuba、2.AIST)

11:45 〜 12:00

[16a-C302-11] 窒化したSiC MOSFET に対するチャージポンピング特性の周波数依存性

〇王緒昆¹、岡本大¹、原田信介²、岩室憲幸¹、矢野裕司¹ (1.筑波大、2.産総研)

12:00 〜 12:15

[16a-C302-12] 窒化したp型SiC MOSキャパシタにおける反転層の形成

〇(M1)唐本祐樹¹、岡本大¹、原田信介²、染谷満²、畠山哲夫²、小杉亮治²、岩室憲幸¹、矢野裕司¹ (1.筑波大、2.産総研)

一般セッション(口頭講演)

[16p-C302-1~9] 15.6 IV族系化合物（SiC）

2016年9月16日(金) 13:45 〜 16:15 C302 (日航30階鳳凰)

岡本大(筑波大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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13:45 〜 14:00

[16p-C302-1] [講演奨励賞受賞記念講演] 酸化性および還元性雰囲気におけるゲート酸化膜成長前の高温熱処理がSiC MOSFET移動度に与える影響

〇平井悠久¹、喜多浩之¹ (1.東大院工)

14:00 〜 14:15

△ [16p-C302-2] ウェット酸化条件の制御による4H-SiC C面上MOS界面特性への影響

〇(M2)梶房裕之¹、喜多浩之¹ (1.東大院工)

14:15 〜 14:30

[16p-C302-3] 界面近傍のSiO₂微視的構造とMOS界面の電気特性から見た4H-SiC m面のウェット酸化により形成されたMOS界面の特徴

〇黒山滉平¹、平井悠久¹、山本建策²、林真理子²、喜多浩之¹ (1.東大院工、2.(株)デンソー)

14:30 〜 14:45

[16p-C302-4] ホール効果測定による窒化SiO₂/SiC界面の伝導帯近傍における界面準位の評価

〇畠山哲夫¹、木内裕治¹、染谷満¹、岡本大²、原田信介¹、矢野裕司²、米澤喜幸¹、奥村元¹ (1.産総研、2.筑波大)

14:45 〜 15:00

[16p-C302-5] 4H-SiC熱酸化膜のリーク伝導機構に対する窒化処理の影響

〇木内祐治^1,2、染谷満¹、岡本大³、畠山哲夫¹、原田信介¹、矢野裕司³、米澤喜幸¹、奥村元¹ (1.産総研、2.新日本無線（株）、3.筑波大)

15:15 〜 15:30

△ [16p-C302-6] 理想SiO₂/SiC界面の実現に向けた超高温・低酸素分圧酸化の検討

〇勝義仁¹、辻英徳^1,2、細井卓治¹、志村考功¹、渡部平司¹ (1.阪大院工、2.富士電機)

15:30 〜 15:45

▼ [16p-C302-7] Improvement of physical and electrical properties in SiC-MOS devices using deposited insulators on barium-enhanced thermal oxides

〇(P)Atthawut Chanthaphan¹、 Takuji Hosoi¹、 Takayoshi Shimura¹、 Heiji Watanabe¹ (1.Osaka Univ.)

15:45 〜 16:00

[16p-C302-8] TDMASを用いたALD-SiO₂ゲート絶縁膜のSiC-MOSキャパシタ特性

〇(B)金子喬¹、雷一鳴¹、若林整¹、筒井一生²、岩井洋²、角嶋邦之¹、古橋壮之³、友久伸吾³、山川聡³ (1.東工大工、2.東工大科学技術創成研究院、3.三菱電機株式会社)

16:00 〜 16:15

[16p-C302-9] Laシリケート/ALD-SiO₂積層ゲート絶縁膜を有するSiC-MOSキャパシタの電気特性評価

〇雷一鳴¹、若林整¹、筒井一生²、岩井洋²、角嶋邦之¹、古橋壮之³、友久伸吾³、山川聡³ (1.東工大工学院、2.東工大科学技術創成研究院、3.三菱電機株式会社)

一般セッション(ポスター講演)

[14p-P9-1~18] 15.6 IV族系化合物（SiC）

2016年9月14日(水) 13:30 〜 15:30 P9 (展示ホール)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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13:30 〜 15:30

△ [14p-P9-1] 燃焼赤外吸収法による炭素溶解度の測定

〇玄光龍¹、高橋大¹、太子敏則¹ (1.信州大工)

13:30 〜 15:30

[14p-P9-2] ガスソースMBE法により作製した3C-SiC(111)自立基板の電気的評価

〇中野由崇¹、浅村英俊²、大内澄人²、生川満久²、稲垣徹²、川村啓介² (1.中部大工、2.エア・ウォーター)

13:30 〜 15:30

[14p-P9-3] 助触媒担持による4H-SiC光電極の特性

〇赤羽俊之輔¹、前田和彦¹、岩崎孝之¹、小寺哲夫¹、波多野睦子¹ (1.東京工業大学)

13:30 〜 15:30

[14p-P9-4] XPS測定を用いた積層Mo/C電極とSiCショットキー接合界面の特性評価

〇(M2)鈴木智之¹、若林整¹、筒井一生¹、岩井洋¹、角嶋邦之¹、野平博司² (1.東工大、2.東京都市大)

13:30 〜 15:30

[14p-P9-5] 界面顕微光応答によるNi/n-SiCの界面反応の2次元評価

〇橋爪孝典¹、畑裕介¹、加藤正史²、塩島謙次¹ (1.福井大院工、2.名工大院工)

13:30 〜 15:30

[14p-P9-6] 水素ラジカルを用いた選択加熱によるn⁺4H-SiCへのオーミック電極形成

荒井哲司¹、上村和貴¹、山本千綾¹、白倉麻依¹、有元圭介¹、山中淳二¹、〇中川清和¹、高松利行²、荻野正明³、立岡正明³、中澤治雄³ (1.山梨大学、2.株式会社SST、3.富士電機株式会社)

13:30 〜 15:30

[14p-P9-7] レーザアニールによる4H-SiC C面上のNi/Ti多層膜オーミックコンタクトの形成

〇ミランタデシルワ¹、川崎輝尚²、吉川公麿¹、黒木伸一郎¹ (1.広島大学ナノデバイス、2.住友重機械工業株式会社)

13:30 〜 15:30

[14p-P9-8] SiC基板へのフェムト秒レーザー誘起周期構造の形成

〇宮川鈴衣奈¹、江龍修¹ (1.名工大)

13:30 〜 15:30

[14p-P9-9] エタノール中でのレーザーアブレーション法にて作製したSiC微粒子の発光起源

〇山田拓陸¹ (1.東理大理)

13:30 〜 15:30

[14p-P9-10] SiC酸化によるC=C結合欠陥形成の理論的考察

〇長川健太¹、洗平昌晃^2,1、白石賢二^2,1 (1.名大院工、2.名大未来研)

13:30 〜 15:30

[14p-P9-11] 4H-SiC/SiO₂界面O₂酸化の第一原理シミュレーション～SiC(0001)Si面と(000-1)C面の違い～

〇山崎隆浩^1,2、田島暢夫^1,2、金子智昭^1,2、奈良純^1,2、清水達雄³、加藤弘一⁴、大野隆央^1,2 (1.物材機構、2.MARCEED、3.東芝研究開発センター、4.東大生産研)

13:30 〜 15:30

[14p-P9-12] In situ XRR及びHAXPESによる4H-SiCの熱酸化過程の観察

〇安野聡¹、小金澤智之¹、村岡幸輔²、黒木伸一郎² (1.高輝度光科学研究セ、2.広島大学ナノデバイス)

13:30 〜 15:30

[14p-P9-13] 重イオン照射によるSiC-MOSFET中の誘起収集電荷の発生過程

〇(M1)高野修平^1,2、牧野高紘³、原田信介²、児島一聡²、土方泰斗¹、大島武³ (1.埼大理工、2.産総研、3.量研機構)

13:30 〜 15:30

[14p-P9-14] SiC MOSFETにおけるイオン誘起電荷過剰収集

〇牧野高紘¹、高野修平²、原田信介³、児島一聡³、土方泰斗²、大島武¹ (1.量研機構、2.埼玉大、3.産総研)

13:30 〜 15:30

[14p-P9-15] 4H-SiCパワーデバイスの応力解析技術の構築

〇(M2)榊間大輝¹、村上陽一¹、泉聡志¹、牛流章弘²、廣畑賢治² (1.東大工、2.東芝研究開発センター)

13:30 〜 15:30

[14p-P9-16] パワーモジュールの設計に関わる配線表皮効果のコンパクトモデリング

〇福田浩一¹、佐藤佳宏¹、服部淳一¹、佐藤弘¹、山口浩¹ (1.産総研)

13:30 〜 15:30

[14p-P9-17] 次世代パワー半導体ダイアタッチの複合オンゴーイング劣化解析

〇山下真理¹、鈴木達広¹、荒木祥和¹、森哲也¹、荻原尚志²、田中秀和²、薬丸尚志³、谷本智¹ (1.日産アーク、2.ケースレーインスツルメンツ、3.日立パワーソリューションズ)

13:30 〜 15:30

[14p-P9-18] 破壊観察によるSiC-MOSFET(TO-247)の冷熱サイクル劣化解析

〇荒木祥和¹、鈴木達広¹、山下真理¹、大野俊明²、薬丸尚志³、澤田浩紀⁴、谷本智¹ (1.日産ｱｰｸ、2.ﾉｰﾄﾞｿﾝ･ｱﾄﾞﾊﾞﾝｽﾄ･ﾃｸﾉﾛｼﾞｰ、3.日立ﾊﾟﾜｰｿﾘｭｰｼｮﾝｽﾞ、4.岩通計測)

セッション一覧

15 結晶工学 » 15.6 IV族系化合物（SiC）

[15a-C302-1~12] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[15p-C302-1~18] 15.6 IV族系化合物（SiC）

△ [15p-C302-2] 高濃度SF6ガスを用いたサブ大気圧プラズマエッチングによるSiC基板の高能率加工

△ [15p-C302-3] SiO2をマスクとしたSF6-O2-Ar系ICP-RIEによる高選択比SiCエッチング

△ [15p-C302-4] p型SiCの電気化学エッチングにおけるエッチピット形成

△ [15p-C302-6] 太陽光－水素エネルギー変換効率0.58%を示す3C-SiC光電極

△ [15p-C302-7] 3C-SiC中の表面に形成される単一発光源の発光特性と表面処理

△ [15p-C302-9] 4H-SiCエピタキシャル層中におけるショックレー型積層欠陥と基底面転位構造の関係

△ [15p-C302-16] 表面パッシベーション酸化膜の窒化処理により生じるメサ型4H-SiC pn ダイオードの順方向リーク電流の起源

△ [15p-C302-17] 高電圧・高速パルス発生を目指したSiC-pinダイオードの逆回復特性解析

△ [15p-C302-18] チャージインバランスを考慮したSiC Superjunction MOSFETのオン抵抗-素子耐圧向上の検討

[16a-C302-1~12] 15.6 IV族系化合物（SiC）

△ [16a-C302-7] SiO2/SiC界面欠陥由来による局所DLTS像の直流バイアス依存性観測

▼ [16a-C302-10] A Distributed Model for Near-Interface Traps in 4H-SiC MOS Capacitors

[16p-C302-1~9] 15.6 IV族系化合物（SiC）

△ [16p-C302-2] ウェット酸化条件の制御による4H-SiC C面上MOS界面特性への影響

△ [16p-C302-6] 理想SiO2/SiC界面の実現に向けた超高温・低酸素分圧酸化の検討

▼ [16p-C302-7] Improvement of physical and electrical properties in SiC-MOS devices using deposited insulators on barium-enhanced thermal oxides

[14p-P9-1~18] 15.6 IV族系化合物（SiC）

△ [14p-P9-1] 燃焼赤外吸収法による炭素溶解度の測定

認証

△ [15p-C302-2] 高濃度SF₆ガスを用いたサブ大気圧プラズマエッチングによるSiC基板の高能率加工

△ [15p-C302-3] SiO₂をマスクとしたSF₆-O₂-Ar系ICP-RIEによる高選択比SiCエッチング

△ [16a-C302-7] SiO₂/SiC界面欠陥由来による局所DLTS像の直流バイアス依存性観測

△ [16p-C302-6] 理想SiO₂/SiC界面の実現に向けた超高温・低酸素分圧酸化の検討