〇(DC)Arifuzzaman Rajib Rajib¹、 Abdul Kuddus¹、 Karim Enamul¹、 Shunji Kurosu²、 Tomofumi Ukai²、 Yasuhiko Fujii²、 Masahide Tokuda²、 Tatsuro Hanajiri²、 Ryo Ishikawa¹、 Keiji Ueno¹、 Hajime Shirai¹ (1.Saitama Univ.、2.Toyo Univ.)

16:15 〜 16:30

△ [12p-D419-10] エキシマレーザー照射によるMgAl₂O₄単結晶基板上でのGa₂O₃薄膜の固相結晶化と構造評価

〇松島拓海¹、森田公之¹、土嶺信男²、金子智^3,1、松田晃史¹、吉本護¹ (1.東工大物質理工、2.(株)豊島製作所、3.神奈川県産技総研)

16:30 〜 16:45

△ [12p-D419-11] GaS 原料を用いた Ga₂O₃系混晶の PLD 成長

〇青山航平¹、斉藤拓海¹、亀井海聖¹、高橋瑞人²、相馬拓人¹、加渡幹尚³、大友明^1,4 (1.東工大物質理工学院、2.アジア物性材料、3.トヨタ自動車、4.元素戦略)

16:45 〜 17:00

△ [12p-D419-12] 横方向成長したα型酸化ガリウム結晶のKOHエッチングによる転位評価

〇河原克明¹、大島孝仁¹、沖川満¹、四戸孝¹ (1.FLOSFIA)

17:00 〜 17:15

△ [12p-D419-13] β-Ga2O3 (\overline{2}01) 単結晶の表面再構成構造解析

〇脇坂祐斗¹、フロランスアントワーヌ¹、村上達也¹、高村(山田) 由起子研究¹ (1.北陸先端大)

17:15 〜 17:30

▼ [12p-D419-14] Observation of Reverse Leakage Current in (001) b-Gallium Oxide
Schottky Barrier Diodes by High Sensitive Emission Microscope

〇(M2)Sayleap Sdoeung¹、 Kohei Sasaki²、 Akito Kuramata²、 Makoto Kasu¹ (1.Saga Univ.、2.Novel Crystal Technology)

17:30 〜 17:45

▼ [12p-D419-15] High current (0.78 A/mm) and high voltage (618 V) operation of NO₂-doped diamond MOSFETs

〇(D)Niloy Chandra Saha¹、 Y. Kawamata²、 K. Koyama²、 S. -W. Kim²、 T. Oishi¹、 M. Kasu¹ (1.Saga Univ.、2.Adamant Namiki Precision Jewel Co., Ltd.)

一般セッション(口頭講演)

[13a-D419-1~12] 21.1 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

2020年3月13日(金) 09:00 〜 12:15 D419 (11-419)

金子健太郎(京大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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09:00 〜 09:15

[13a-D419-1] スパッタ成膜 Al 添加 ZnO 透明導電多結晶膜の特性に与える残留 Ar 量の影響

〇野本淳一¹、牧野久雄²、土屋哲男¹、山本哲也² (1.産総研先進コーティング技術研究センター、2.高知工科大総研)

09:15 〜 09:30

[13a-D419-2] Mg_xZn_1-xO/n-ZnO構造の光学特性評価

〇遠藤治之¹、目黒和幸¹、阿部貴志¹、高橋強¹、柏葉安兵衛² (1.岩手県工技センタ、2.岩手大)

09:30 〜 09:45

[13a-D419-3] ZnO系透明導電膜の特性とPLスペクトルの対応 IV

〇赤沢方省¹ (1.NTTデバイスイノベーションセンタ)

09:45 〜 10:00

[13a-D419-4] 残留 Ar を伴う Al 添加 ZnO 透明導電膜の化学結合状態

〇山本哲也¹、野本淳一²、牧野久雄¹、土屋哲男² (1.高知工科大総研、2.産総研)

10:00 〜 10:15

[13a-D419-5] W 置換 In₂O₃ 極薄膜におけるキャリア輸送特性の支配因子

〇古林寛¹、前原誠²、酒見俊之²、北見尚久^1,2、山本哲也¹ (1.高知工科大、2.住友重機械工(株))

10:15 〜 10:30

[13a-D419-6] 光電気化学的水分解におけるSrTiO₃の面方位依存性

〇(M1C)沈昊哉¹、今関裕貴¹、スパワンナーンプラパーワット¹、佐藤正寛²、藤井克司³、嶺岸耕²、中野義昭¹、杉山正和² (1.東大院工、2.東大先端研、3.理研)

10:45 〜 11:00

[13a-D419-7] 水素雰囲気異方性熱エッチング(HEATE)法によるHVPE-In₂O₃成長層のエッチング特性評価

〇富樫理恵¹、笠羽遼¹、大江優輝¹、長井研太²、後藤健²、熊谷義直²、菊池昭彦¹ (1.上智大理工、2.東京農工大院)

11:00 〜 11:15

[13a-D419-8] HCl添加による化学合成Ga₂O₃ナノワイヤーの長繊維化

〇(B)廣田奎史郎¹、船越拓哉²、向井剛輝^1,2 (1.横浜国大理工、2.横浜国大院理工)

11:15 〜 11:30

[13a-D419-9] ゾル・ゲルディップ法によるMgO(001)基板へのNiOエピタキシャル成長

〇安田隆¹、白嶋賢仁¹、壹岐智行¹ (1.石専大理工)

11:30 〜 11:45

[13a-D419-10] トリハライド気相成長法を用いたβ-酸化ガリウム成長

〇(D)江間研太郎¹、小川直紀¹、佐々木公平²、倉又朗人²、村上尚¹ (1.農工大院工、2.ノベルクリスタルテクノロジー)

11:45 〜 12:00

[13a-D419-11] VB法成長直径２インチβ-Ga₂O₃単結晶の結晶性評価

〇(M1)小野塚昂大¹、小林壮¹、太子敏則¹、干川圭吾^1,2、大葉悦子²、小林拓実² (1.信州大工、2.不二越機械工業)

12:00 〜 12:15

[13a-D419-12] 大気中VB法成長直径2インチβ-Ga₂O₃単結晶の半導体特性

〇(M1)高部守¹、小林壮¹、太子敏則¹、干川圭吾^1,2、大葉悦子²、小林拓実² (1.信州大工、2.不二越機械工業)

一般セッション(口頭講演)

[13p-D419-1~16] 21.1 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

2020年3月13日(金) 13:45 〜 18:15 D419 (11-419)

安田隆(石巻専修大)、池之上卓己(京大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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13:45 〜 14:15

[13p-D419-1] [第10回化合物半導体エレクトロニクス業績賞（赤﨑勇賞）受賞記念講演] GaAs系、ZnSe系、および酸化物半導体の結晶成長における新技術開拓

〇藤田静雄¹ (1.京大院工)

14:15 〜 14:30

[13p-D419-2] C面サファイア基板上α-(Al_xGa_1-x)₂O₃薄膜の結晶相安定性

〇(D)神野莉衣奈¹、増田泰久¹、金子健太郎¹、藤田静雄¹ (1.京大院工)

14:30 〜 14:45

[13p-D419-3] アセチルアセトナート化した原料水溶液によるα 型酸化ガリウム薄膜のミスト CVD 成長

〇宇野和行¹、太田茉莉香¹、田中一郎¹ (1.和歌山大)

14:45 〜 15:00

[13p-D419-4] ミストCVD法によるγ-(Al_xGa_1-x)₂O₃混晶薄膜成長

〇堀江竜斗¹、田原大祐¹、西中浩之¹、吉本昌広¹ (1.京工繊大)

15:00 〜 15:15

[13p-D419-5] ミストCVD法によるrh-ITO上のε-Ga₂O₃薄膜成長と電気的特性評価

〇(M1)伊藤雄祐¹、藤原悠希¹、西中浩之¹、田原大祐¹、島添和樹¹、新田悠汰¹、野田実¹、吉本昌広¹ (1.京工繊大)

15:15 〜 15:30

[13p-D419-6] R面サファイア上にミストCVDで作製したα-Ga₂O₃薄膜の表面構造解析

〇久保理¹、丹波大樹¹、尾坂駿¹、織田真也²、田畑博史¹、片山光浩¹ (1.大阪大学、2.FLOSFIA)

15:30 〜 15:45

▲ [13p-D419-7] Epitaxial growth of bismuth oxyhalides thin films with mist CVD at atmospheric pressure

〇(DC)Zaichun Sun¹、 Daichi Oka¹、 Tomoteru Fukumura^1,2 (1.Dept. Chem., Tohoku Univ.、2.AIMR and Core Research Cluster, Tohoku Univ.)

15:45 〜 16:00

[13p-D419-8] 窒素イオン注入酸化ガリウム結晶の光電流スペクトル

〇(B)中西雅彦¹、ワンマンホイ²、山口智広¹、本田徹¹、東脇正高²、尾沼猛儀¹ (1.工学院大、2.情通機構)

16:15 〜 16:30

[13p-D419-9] (Ga_xIn_1-x)₂O₃固溶体薄膜における結晶構造および電気的特性の検討

〇宝賀剛^1,2、山下晶洸^2,3、朝日透³、知京豊裕²、長田貴弘² (1.鶴岡高専、2.物質・材料研究機構、3.早稲田大)

16:30 〜 16:45

[13p-D419-10] 顕微ラマンイメージングによる高温状態の電極付n形β-Ga₂O₃結晶の
電子物性に関する研究

〇須田潤¹、佐藤豪紀¹、山田孝治¹ (1.中京大工)

16:45 〜 17:00

[13p-D419-11] VB法β-Ga₂O₃基板を用いた縦型ショットキーバリアダイオードの作製

〇林家弘¹、干川圭吾^2,3、鍛治倉惇³、ティユクァントゥ¹、タンガラジャアムタ¹、内田悠貴¹、小石川結樹¹、大塚文雄¹、渡辺信也¹、佐々木公平¹、倉又朗人¹ (1.ノベルクリスタルテクノロジー、2.信州大工、3.不二越機械工業)

17:00 〜 17:15

[13p-D419-12] フリップチップ実装したβ-Ga₂O₃ショットキーバリアダイオードパッケージの熱抵抗評価

〇山口慎也¹、町田信夫¹、高塚章夫¹、大塚文雄¹、佐々木公平¹、倉又朗人¹ (1.ノベルクリスタルテクノロジー)

17:15 〜 17:30

▲ [13p-D419-13] Effects of Polishing Damage on β-Ga₂O₃ Schottky Diodes Electrical Properties

〇(M1)Maria Gouveia^1,2、 Aboulaye Traore^1,3、 Hitoshi Umezawa³、 Hideki Inaba³、 Toshimitsu Ito³、 Takeaki Sakurai¹ (1.Univ. of Tsukuba、2.Univ. of Grenoble-Alpes、3.AIST)

17:30 〜 17:45

[13p-D419-14] β-Ga₂O₃エピタキシャル層の低ドナー濃度化によるMOSキャパシタの高耐圧化

〇脇本大樹¹、佐々木公平¹、宮本広信¹、ティユクァントゥ¹、倉又朗人¹、山腰茂伸¹ (1.ノベルクリスタルテクノロジー)

17:45 〜 18:00

[13p-D419-15] β-Ga₂O₃ノーマリーオフMOSFETの高温動作特性

〇内田悠貴¹、加瀬正史¹、青木和夫¹、山腰茂伸¹、佐々木公平¹、倉又朗人¹ (1.NCT)

18:00 〜 18:15

[13p-D419-16] 最大発振周波数 27 GHzを有するGa₂O₃ MOSFET

〇上村崇史¹、中田義昭¹、東脇正高¹ (1.情通機構)

一般セッション(ポスター講演)

[15a-PA5-1~25] 21.1 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

2020年3月15日(日) 09:30 〜 11:30 PA5 (第３体育館)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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09:30 〜 11:30

▼ [15a-PA5-1] Enhancing power of ZnO nanoparticle LEDs using silica coated silver Nano particles

〇(M1)RAJ DEEP¹、 Atsuya Tabuchi¹、 Yuki Konishi¹、 Islam Mohammad Shafiqul¹、 Jie Lin²、 Toshiyuki Yoshida¹、 Yasuhisa Fujita^1,2 (1.Shimane University、2.SNCC Co. Ltd)

09:30 〜 11:30

▲ [15a-PA5-2] p-ZnO/n-ZnO Nanoparticles based UV Light Emitting Diodes

〇(D)ISLAM MOHAMMAD SHAFIQUL¹、 Atsuya Tabuchi¹、 Yuki Konishi¹、 Chihiro Sakurai¹、 Jie Lin²、 Toshiyuki Yoshida¹、 Yasuhisa Fujita^1,2 (1.Shimane University、2.SNCC Co., Ltd)