^○清水康雄¹，高見澤悠¹，井上耕治¹，矢野史子^1,2，永井康介¹，LucaLamagna³，GiovanniMazzeo^3,4，MichelePerego³，EnricoPrati³ (東北大金研¹，東京都市大²，Laboratorio MDM, CNR-IMM³，Universita di Milano Bicocca⁴)

16:00 〜 18:00

[19p-PG3-18] a-Si細線のマイクロ熱プラズマジェット結晶化における結晶成長観察

^○（DC）林将平^1,2，森崎誠司¹，上倉敬弘¹，山本将悟¹，中谷太一¹，東清一郎¹ (広大院先端研¹，学振特別研究員ＤＣ²)

16:00 〜 18:00

△ [19p-PG3-19] AuとGeの同時スパッタによるGe薄膜の結晶化

^○杉山貴俊¹，神子公男²，弓野健太郎¹ (芝浦工大¹，東大生研²)

16:00 〜 18:00

[19p-PG3-20] TFTオフリーク電流低減のためのオゾンラジカル処理の研究

^○平田達誠¹，黒木伸一郎¹，山野真幸¹，佐藤旦¹，小谷光司²，吉川公麿¹ (広島大ナノデバイス¹，東北大院工²)

16:00 〜 18:00

[19p-PG3-21] 水中レーザ結晶化によるpoly-GeSnの大粒径成長とデバイス応用

^○黒澤昌志^1,2，池上浩³，鎌田善己⁴，田岡紀之¹，中塚理¹，手塚勉⁴，財満鎭明¹ (名大院工¹，学振PD²，九大院シス情³，産総研GNC⁴)

16:00 〜 18:00

[19p-PG3-22] 可視レーザ照射による多結晶シリコン結晶粒の結晶成長の促進

^○河本直哉¹，只友一行¹，部家彰²，松尾直人² (山口大院理工¹，兵庫県立大院工²)

16:00 〜 18:00

[19p-PG3-23] NiとGe積層薄膜によって形成したNiGe膜のシート抵抗と熱処理温度の関係

^○元木雅章¹，角嶋邦之²，片岡好則²，西山彰²，杉井信之²，若林整²，筒井一生²，名取研二¹，岩井洋¹ (東工大フロンティア研¹，東工大総理工²)

16:00 〜 18:00

[19p-PG3-24] Ni/Sn の熱処理によるGe(100) 上へのエピタキシャルNiGe 形成

^○小池正浩，上牟田雄一，守山佳彦，鎌田善己，黒澤悦男，手塚勉 (産総研GNC)

16:00 〜 18:00

[19p-PG3-25] 二段階Pイオン注入による低コンタクト抵抗 (∼3×10^-8 Ωcm²) NiGe/n⁺Ge接合形成

^○小池正浩，上牟田雄一，黒澤悦男，手塚勉 (産総研GNC)

16:00 〜 18:00

[19p-PG3-26] W₂Cゲート電極によるLa-silicate MOSFETの移動度改善

^○（D）トクダレハンカマリ¹，細田修平¹，角嶋邦之²，片岡好則²，西山彰²，杉井信之²，若林整¹，筒井一生²，名取研二¹，岩井洋¹ (東工大フロンティア研¹，東工大総理工²)

16:00 〜 18:00

[19p-PG3-27] W2C電極導入によるLa-silicate/Si における平坦な界面の実現

^○細田修平¹，TuokedaerhanKamale¹，角嶋邦之²，片岡好則²，西山彰²，杉井信之²，若林整²，筒井一生²，名取研二¹，岩井洋¹ (東工大フロンティア¹，東工大総理工²)

16:00 〜 18:00

[19p-PG3-28] 積層シリサイド化スパッタプロセスにより作成したNiシリサイドショットキーダイオードの評価

^○今村浩章¹，角嶋邦之²，片岡好則²，西山彰²，杉井信之²，若林整²，筒井一生²，名取研二¹，岩井洋¹ (東工大フロンティア研¹，東工大総理工²)

16:00 〜 18:00

[19p-PG3-29] Mg/Si極薄膜積層の熱処理を用いて作製したMg₂Siの赤外線吸収特性評価

^○長谷川明紀¹，呉研¹，宋眞漢¹，角嶋邦之²，片岡好則²，西山彰²，杉井信之²，若林整²，筒井一生²，名取研二¹，岩井洋¹ (東工大フロンティア研¹，東工大総理工²)

16:00 〜 18:00

[19p-PG3-30] 超臨界CO₂流体中におけるCu薄膜の凝集ならびに拡散挙動

^○渡邉満洋，中村良輝，近藤英一 (山梨大)

16:00 〜 18:00

[19p-PG3-31] SAB 法による深いメサ構造を有するSi/Si接合における寄生容量の低減

^○竹村光司，森本雅史，西田将太，梁剣波，重川直輝 (阪市大)

16:00 〜 18:00

[19p-PG3-32] フレキシブルなグルコースバイオ燃料電池の試作と評価

^○佐野遼平，小出翔平，福士雄大，佐々木翼，茂木寛志，西岡泰城 (日大)

一般セッション(口頭講演)

[20a-E14-1~10] 13.3 Siプロセス・配線・MEMS・集積化技術

2014年3月20日(木) 09:00 〜 11:45 E14 (E302)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

+全てマイスケジュールに登録

09:00 〜 09:15

[20a-E14-1] Siナノワイヤ幅の縮小によるカーケンダルボイド発生の抑制

^○武井康平¹，鹿浜康寛¹，山下広樹¹，小杉山洋希¹，橋本修一郎¹，孫静¹，松川貴²，昌原明植²，渡邉孝信¹ (早大理工¹，産総研²)

09:15 〜 09:30

[20a-E14-2] 高品質電解めっき技術

^○岩津春生，松本俊行，星野智久 (東京エレクトロン)

09:30 〜 09:45

▲ [20a-E14-3] NOとF2を用いたSiケミカルドライエッチング中のF失活過程の解析(I)

^○田嶋聡美¹，林俊雄¹，石川健治¹，関根誠¹，佐々木実²，山川晃司³，堀勝¹ (名大院工¹，豊田工大²，片桐エンジニアリング³)

09:45 〜 10:00

[20a-E14-4] 新しいRu-CVD/ALD原料を利用した次世代DRAMキャパシタ用電極形成プロセスの開発(2)

^○TaewoongKim，百瀬健，霜垣幸浩 (東大院工)

10:00 〜 10:15

[20a-E14-5] 多結晶シリコントレンチゲート構造中のドーパント拡散の3次元評価

高見澤悠¹，清水康雄¹，^○井上耕治¹，矢野史子^1,2，永井康介¹，国宗依信³，井上真雄³，西田彰男³，池田昌弘³ (東北大金研¹，東京都市大²，ルネサス³)

休憩 10:15〜10:30 （10:15 〜 10:30）

10:30 〜 10:45

[20a-E14-6] 軟X線照射によるH₃PO₄塗布Si中のP原子活性化

^○部家彰¹，平野翔大¹，草壁史¹，松尾直人¹，神田一浩² (兵庫県立大工¹，兵庫県立大高度研²)

10:45 〜 11:00

[20a-E14-7] 高性能パワー素子特性向上のための高温短時間プロセスの検討

^○陳訳，野口隆 (琉球大)

11:00 〜 11:15

▲ [20a-E14-8] Improving Crystalline Quality of Pulsed-Laser-Microcrystallized Si Thin Films by the Two-Step Irradiation Method

^○（D）LienMai，SusumuHorita (JAIST)

11:15 〜 11:30

△ [20a-E14-9] TiN/Geコンタクトにおける低電子障壁発現機構の解明（Ⅱ）

^○山本圭介¹，光原昌寿²，吹留佳祐³，野口竜太郎³，西田稔²，王冬²，中島寛¹ (九大産学連携センター¹，九大総合理工学研究院²，九大総合理工学府³)

11:30 〜 11:45

[20a-E14-10] NiSi/Siショットキー障壁を変調する硫黄不純物の電子状態解析

^○丸亀孝生，吉木昌彦，西義史，加藤弘一，三谷祐一郎 (東芝研開セ)

一般セッション(口頭講演)

[20p-E14-1~4] 13.3 Siプロセス・配線・MEMS・集積化技術

2014年3月20日(木) 13:15 〜 14:15 E14 (E302)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

+全てマイスケジュールに登録

昼食 11:45〜13:15 （11:45 〜 13:15）

13:15 〜 13:30

[20p-E14-1] 不純物・欠陥によるS原子ペアーのショットキー障壁変調への影響

^○加藤弘一，丸亀孝生，西義史，三谷祐一郎 (東芝研開セ)

13:30 〜 13:45

△ [20p-E14-2] NiGe/Ge接合特性における注入P原子の役割

^○岡博史，箕浦佑也，細井卓治，志村考功，渡部平司 (阪大院工)

13:45 〜 14:00

△ [20p-E14-3] マイクロ流路を用いた流れ環境下における銅の溶解観察 ―溶存酸素量の溶解挙動への影響―

^○森洋輔¹，鈴木崇弘¹，高東智佳子²，早瀬仁則¹ (東理大¹，荏原製作所²)

14:00 〜 14:15

[20p-E14-4] CVD法を用いた低抵抗Co薄膜の形成

原田和宏，小川有人，^○芦原洋司，由上二郎 (日立国際電気)

セッション一覧

13．半導体A（シリコン） » 13.3 Siプロセス・配線・MEMS・集積化技術

[18a-E14-1~10] 13.3 Siプロセス・配線・MEMS・集積化技術

△ [18a-E14-2] 結晶配向γ-Al2O3/Si(001)基板への回路インテグレーションと回路特性評価

▼ [18a-E14-4] Silicon micromechanical resonator with high quality factor fabricated by damage-free neutral beam etching process

▼ [18a-E14-7] Fabrication of SiC/Si Hybrid Accelerometer for High Temperature Applications

△ [18a-E14-8] MEMS Fabry-Perot干渉型表面応力センサの受光素子感度向上

△ [18a-E14-9] 高感度質量センサに向けたグラフェンMEMS共振器の製作

△ [18a-E14-10] Via-last TSVとウェハ積層を用いた三次元CMOSデバイスの開発

[18p-E14-1~21] 13.3 Siプロセス・配線・MEMS・集積化技術

△ [18p-E14-11] 表面増強ラマン散乱を用いた歪Si異方性二軸応力のパターンサイズ依存測定

△ [18p-E14-12] 熱プラズマから発生した水素ラジカルによるグラニュー糖と混合したSiO2の還元

△ [18p-E14-13] 局在プラズモン共鳴を用いたトランジスタチャネル領域最表面のラマン評価

△ [18p-E14-15] 太陽電池級シリカ還元プロセスにおける触媒探索

△ [18p-E14-17] Ge(111)基板上にエピタキシャル成長したGe1-xSnx膜の表面構造に与えるSnの影響

△ [18p-E14-18] 表面活性化ボンディング法によるSi/Si接合特性における熱処理依存性

△ [18p-E14-19] 量子分子動力学法を用いたシリコン酸化膜のエッチングプロセスにおけるエッチャントの堆積機構に関する研究

[19a-E14-1~10] 13.3 Siプロセス・配線・MEMS・集積化技術

▲ [19a-E14-2] Crystallization of Amorphous Silicon Thin Films by Microwave Heating

△ [19a-E14-4] ブルーレーザーアニール法による高移動度poly-Si TFTの作製

△ [19a-E14-8] メニスカス力を用いた局所転写によるガラス基板上高性能nチャネルSi MOSFETの作製

[19p-E14-1~21] 13.3 Siプロセス・配線・MEMS・集積化技術

[19p-PG3-1~32] 13.3 Siプロセス・配線・MEMS・集積化技術

△ [19p-PG3-8] 構造体側面へのPZT成膜と評価構造体作製

△ [19p-PG3-9] PZT薄膜を用いた並列接続型スパイラルアクチュエータ

△ [19p-PG3-13] ガラス基板上の自己整合四端子メタルダブルゲート低温poly-Si TFT

△ [19p-PG3-19] AuとGeの同時スパッタによるGe薄膜の結晶化

[20a-E14-1~10] 13.3 Siプロセス・配線・MEMS・集積化技術

▲ [20a-E14-3] NOとF2を用いたSiケミカルドライエッチング中のF失活過程の解析(I)

▲ [20a-E14-8] Improving Crystalline Quality of Pulsed-Laser-Microcrystallized Si Thin Films by the Two-Step Irradiation Method

△ [20a-E14-9] TiN/Geコンタクトにおける低電子障壁発現機構の解明（Ⅱ）

[20p-E14-1~4] 13.3 Siプロセス・配線・MEMS・集積化技術

△ [20p-E14-2] NiGe/Ge接合特性における注入P原子の役割

△ [20p-E14-3] マイクロ流路を用いた流れ環境下における銅の溶解観察 ―溶存酸素量の溶解挙動への影響―

△ [18a-E14-2] 結晶配向γ-Al₂O₃/Si(001)基板への回路インテグレーションと回路特性評価

△ [18p-E14-12] 熱プラズマから発生した水素ラジカルによるグラニュー糖と混合したSiO₂の還元

△ [18p-E14-17] Ge(111)基板上にエピタキシャル成長したGe_1-xSn_x膜の表面構造に与えるSnの影響