2018年第79回応用物理学会秋季学術講演会

セッション一覧

13 半導体 » 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

一般セッション(口頭講演)

[18a-233-1~10] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

2018年9月18日(火) 09:30 〜 12:00 233 (233)

曽根 正人(東工大)

△:奨励賞エントリー
▲:英語発表
▼:奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄:どちらもなし

一般セッション(口頭講演)

[19a-233-1~11] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

2018年9月19日(水) 09:00 〜 12:00 233 (233)

米谷 玲皇(東大)

△:奨励賞エントリー
▲:英語発表
▼:奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄:どちらもなし

10:00 〜 10:15

〇(M2)小林 弘人1、 横川 凌1,2、 木下 晃輔1、 沼沢 陽一郎1、 小掠 厚志1、 西澤 伸一3、 更屋 拓也4、 伊藤 一夫4、 高倉 俊彦4、 鈴木 慎一4、 福井 宗利4、 竹内 潔4、 平本 俊郎4 (1.明治大理工、2.学振特別研究員、3.九州大工、4.東京大工)

一般セッション(口頭講演)

[20a-233-1~9] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

2018年9月20日(木) 09:30 〜 11:45 233 (233)

野口 隆(琉球大)、東 清一郎(広島大)

△:奨励賞エントリー
▲:英語発表
▼:奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄:どちらもなし

09:45 〜 10:00

〇(M2)小川 達博1、 名取 鼓太郎1、 星井 拓也1、 仲武 昌史2、 渡辺 義夫2、 永山 勉3、 樋口 隆弘3、 加藤 慎一4、 谷村 英昭4、 角嶋 邦之1、 若林 整1、 筒井 一生1 (1.東工大、2.あいちSR、3.日新イオン、4.SCREEN)

一般セッション(口頭講演)

[21a-233-1~12] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

2018年9月21日(金) 09:00 〜 12:00 233 (233)

野口 隆(琉球大)、佐道 泰造(九大)

△:奨励賞エントリー
▲:英語発表
▼:奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄:どちらもなし

一般セッション(口頭講演)

[21p-233-1~14] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

2018年9月21日(金) 13:00 〜 16:45 233 (233)

角嶋 邦之(東工大)、呉 研(日大)

△:奨励賞エントリー
▲:英語発表
▼:奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄:どちらもなし

一般セッション(ポスター講演)

[18p-PB2-1~7] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

2018年9月18日(火) 13:30 〜 15:30 PB (白鳥ホール)

△:奨励賞エントリー
▲:英語発表
▼:奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄:どちらもなし

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