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一般セッション(ポスター講演)

[20p-P9-1~22] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

2016年3月20日(日) 13:30 〜 15:30 P9 (屋内運動場)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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13:30 〜 15:30

[20p-P9-1] 表面リセス型電極構造を用いたAlGaN系PIN型UVフォトダイオードの作製および特性評価

〇岡田真由子¹、宮地祐太¹、三好実人¹、江川孝志¹ (1.名工大)

13:30 〜 15:30

[20p-P9-2] GaN自立基板を用いたInAlN/AlN/GaN HEMTのデバイス特性

〇山下良美¹、渡邊一世¹、遠藤聡^1,2、笠松章史¹、三村高志^1,2 (1.情報通信研究機構、2.富士通研)

13:30 〜 15:30

[20p-P9-3] SiO₂を用いたGaN基板上MOSFETのMg濃度依存性

〇上野勝典¹、高島信也¹、稲本拓朗¹、松山秀昭¹、江戸雅晴¹、中川清和² (1.富士電機（株）、2.山梨大)

13:30 〜 15:30

[20p-P9-4] プラズマCVD SiO₂/InAlN 界面へのAl₂O₃超薄膜層挿入の効果

〇(M1)清野惇¹、長谷崎泰斗¹、横田直茂¹、赤澤正道¹ (1.北大　量集センター)

13:30 〜 15:30

▲ [20p-P9-5] Catalyst free direct deposition of multilayer graphene on GaN by solid phase precipitation.

〇(D)Uddin Md Sahab¹、 Ueno Kazuyoshi^1,2 (1.Shibaura Inst. Tech.、2.SIT RCGI)

13:30 〜 15:30

[20p-P9-6] InAlN/GaNヘテロ構造のInAlNバリア層における成長速度依存性

〇浦山雄也¹、渡邉新¹、江川孝志¹ (1.名古屋工業大学大学院)

13:30 〜 15:30

[20p-P9-7] 大口径対向縦型MOCVD炉によるGaN/AlGaN/GaNへテロエピ成長

〇中村文彦¹、平田祥子¹、杉浦浩¹、河合弘治¹ (1.パウデック)

13:30 〜 15:30

[20p-P9-8] n-GaNに水素イオン注入で誘起されたトラップの評価

〇(M1)上田聖悟¹、後藤雅浩¹、高林洸太¹、徳田豊¹、塩島謙次²、伊藤成志³、八木孝秀³ (1.愛知工大、2.福井大院、3.住重試験検査)

13:30 〜 15:30

[20p-P9-9] n型およびp型GaN中のプラズマ照射誘起欠陥挙動

古賀祐介¹、井上凌兵¹、〇中村成志¹、奥村次徳¹ (1.首都大理工)

13:30 〜 15:30

[20p-P9-10] CF₄ プラズマ処理したn-GaN 膜の電気的評価

〇中野由崇¹、坂井佑輔¹、新部正人²、川上烈生³ (1.中部大、2.兵庫県立大、3.徳島大)

13:30 〜 15:30

▲ [20p-P9-11] Fabrication of GaN Porous Structures Using Photo-Electrochemical Etching and Electrode Response

〇張笑逸¹、伊藤圭亮¹、喜田弘文¹、熊崎祐介¹、佐藤威友¹ (1.北大量集センター)

13:30 〜 15:30

[20p-P9-12] 光電気化学反応を利用したGaN表面の陽極酸化

〇枝元将彰¹、熊崎祐介¹、佐藤威友¹ (1.北海道大量集セ)

13:30 〜 15:30

[20p-P9-13] プライマー層を用いたCu/AlN接合界面の密着強度改善

〇佐藤宏太郎¹、安藤大輔¹、須藤祐司¹、小池淳一¹ (1.東北大工)

13:30 〜 15:30

[20p-P9-14] InAs系PHEMTにおけるAuger再結合

〇佐藤宇人¹、西尾結¹、平山尚美¹、飯田努¹、高梨良文¹ (1.東理大基礎工)

13:30 〜 15:30

[20p-P9-15] SLS回数と成長温度の最適化によるInSb-HEMT構造の電気的特性向上

〇(M2)加藤三四郎¹、宮下愛理、藤川紗千恵、藤代博記 (1.東京理科大学大学院)

13:30 〜 15:30

△ [20p-P9-16] Arプラズマエッチングを用いた二段階ゲートリセス構造を持つInGaAs系HEMTの試作とその特性

〇細谷友崇¹、尾辻泰一¹、末光哲也¹ (1.東北大通研)

13:30 〜 15:30

△ [20p-P9-17] InGaAsSb/InP DHBTにおけるベースコンタクト抵抗低減化手法

〇星拓也¹、柏尾典秀²、白鳥悠太¹、杉山弘樹¹、栗島賢二¹、井田実¹、松崎秀昭¹ (1.NTT先端集積デバイス研、2.NTTデバイスイノベーションセンタ)

13:30 〜 15:30

[20p-P9-18] 高濃度Snドープbeta-Ga₂O₃(-2 0 1)単結晶の温度特性の検討

〇大石敏之¹、嘉数誠¹ (1.佐賀大院工)

13:30 〜 15:30

[20p-P9-19] 高効率無線電力伝送を目指したダイヤモンド・レクテナデバイスの提案

〇大石敏之¹、河野直士¹、嘉数誠¹ (1.佐賀大院工)

13:30 〜 15:30

△ [20p-P9-20] ダイヤモンド素子を用いたレクテナ回路の作製

〇(B)河野直士¹、大石敏之¹、嘉数誠¹ (1.佐賀大院工)

13:30 〜 15:30

[20p-P9-21] GaN表面CARE加工の反応メカニズムの第一原理計算による解析II -表面キンクサイト周辺のH₂O終端構造-

〇稲垣耕司¹、 Pho Van Bui¹、礒橋藍¹、藤大雪¹、森川良忠¹、山内和人¹ (1.阪大院工)

13:30 〜 15:30

[20p-P9-22] 人工知能融合超高速化量子分子動力学法の開発と化合物半導体プロセスへの応用

〇石澤由紀江¹、稲葉賢二¹、小原幸子¹、佐藤絵美¹、佐藤愛美¹、宮野正之¹、ボノーパトリック¹、三浦隆治¹、鈴木愛¹、宮本直人¹、畠山望¹、宮本明¹ (1.東北大学)

一般セッション(口頭講演)

[21a-W541-1~12] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

2016年3月21日(月) 09:00 〜 12:15 W541 (西5号館)

末光哲也(東北大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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09:00 〜 09:15

[21a-W541-1] 自立GaN基板上p-n接合ダイオードにおける順方向電流集中領域の検討

〇林賢太郎¹、太田博¹、金田直樹²、堀切文正³、成田好伸³、吉田丈洋³、三島友義¹、中村徹¹ (1.法政大、2.クオンタムスプレッド、3.サイオクス)

09:15 〜 09:30

[21a-W541-2] 自立基板の劈開面に形成したn-GaNショットキー接触の評価 (2) －－表面処理の影響－－

〇永縄萌¹、青木俊親¹、三島友義²、塩島謙次¹ (1.福大院工、2.法政大)

09:30 〜 09:45

[21a-W541-3] Au/p形ダイヤモンドショットキー接触の変位電流
- p形GaNショットキー接触との比較 -

〇塩島謙次¹、青木俊周¹、寺地徳之²、小出康夫² (1.福井大院工、2.物質・材料研究機構)

09:45 〜 10:00

[21a-W541-4] Agナノインクの印刷により形成したAg/n-GaNショットキー接触の2次元評価(2)

〇新郷正人¹、伊藤尊史¹、柏木行康²、重宗翼³、小泉淳³、児島貴徳³、斉藤大志²、松川公洋²、藤原康文³、塩島謙次¹ (1.福井大院工、2.大阪市工研、3.阪大院工)

10:00 〜 10:15

[21a-W541-5] ICPエッチングによりGaN表面に導入された損傷の界面顕微光応答法による2次元評価

〇今立宏美¹、寺野昭久¹、塩島謙次¹ (1.福井大院工)

10:15 〜 10:30

[21a-W541-6] フォトキャパシタンス測定によるGaN中のプラズマ照射誘起欠陥の評価

折茂力都¹、大西健太¹、〇中村成志¹、奥村次徳¹ (1.首都大理工)

10:45 〜 11:00

[21a-W541-7] ホモエピタキシャル成長低ドープn型GaNの深さ方向ドナー密度分布解析における深い準位の影響

〇須田淳¹、堀田昌宏¹、前田拓也²、澤田直暉¹、木本恒暢¹ (1.京大院工、2.京大工)

11:00 〜 11:15

[21a-W541-8] 過渡容量測定によるホモエピタキシャル成長n型GaNの深い準位密度のウェハ面内マッピング評価

〇堀田昌宏¹、成田哲生²、加地徹²、上杉勉²、須田淳¹ (1.京大院工、2.豊田中研)

11:15 〜 11:30

[21a-W541-9] GaN基板上低キャリア厚膜n-GaNショットキー接触のDLTS評価

〇塩島謙次¹、田中丈士^1,2、三島友義³、徳田豊⁴ (1.福井大院工、2.サイオクス（株）、3.法政大学、4.愛知工大)

11:30 〜 11:45

[21a-W541-10] 高N_t/N_d比のMOCVD n-GaNの一定容量DLTS測定

〇(M1)上田聖悟¹、宮本一輝¹、徳田豊¹ (1.愛知工大)

11:45 〜 12:00

△ [21a-W541-11] GaN基板上GaNショットキーダイオードにおける転位と深い準位の関連性評価

〇間瀬駿¹、浦山雄也¹、江川孝志¹ (1.名工大)

12:00 〜 12:15

△ [21a-W541-12] 逆バイアス電圧印加n型GaNショットキーバリアダイオードにおけるFranz-Keldysh効果に起因したサブバンドギャップ光吸収による光電流

〇(B)前田拓也¹、岡田政也²、上野昌紀²、山本喜之²、堀田昌宏³、須田淳³ (1.京大工、2.住友電工、3.京大院工)

一般セッション(口頭講演)

[21p-W541-1~12] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

2016年3月21日(月) 13:45 〜 17:00 W541 (西5号館)

塩島謙次(福井大)、牧山剛三(富士通研)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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13:45 〜 14:00

△ [21p-W541-1] AlGaN/GaN HEMT オフ耐圧とEL発光との相関

〇(M1)吉田知司¹、大井慎太郎¹、山崎泰誠¹、 Asubar Joel¹、徳田博邦¹、葛原正明¹ (1.福井大院工)

14:00 〜 14:15

[21p-W541-2] スパッタ成膜したアルミナ系絶縁膜/AlGaN界面のTEM観察

〇野崎幹人¹、淺原亮平¹、伊藤丈予¹、渡邉健太¹、山田高寛¹、中澤敏志²、按田義治²、石田昌宏²、上田哲三²、細井卓治¹、志村考功¹、渡部平司¹ (1.阪大院工、2.パナソニック)

14:15 〜 14:30

△ [21p-W541-3] AlGaN/GaN MOS-HEMTにおけるSiO₂/AlON積層ゲート絶縁膜の検討

〇(B)渡邉健太¹、淺原亮平¹、伊藤丈予¹、野崎幹人¹、山田高寛¹、中澤敏志²、按田義治²、石田昌宏²、上田哲三²、細井卓治¹、志村考功¹、渡部平司¹ (1.阪大院工、2.パナソニック)

14:30 〜 14:45

△ [21p-W541-4] AlGaN/GaN系ノーマリーオフPチャネルMOS-HFETにおける基板バイアス効果

〇久保田俊介¹、中島昭²、西澤伸一²、大橋弘通¹、角嶋邦之¹、若林整¹、筒井一生¹ (1.東工大総理工、2.産総研)

14:45 〜 15:00

△ [21p-W541-5] トレンチ構造をもつGaN縦型MOSFETの特性評価

〇(M1)篠倉暁希¹、徳田博邦¹、江戸雅晴²、上野勝典²、葛原正明¹ (1.福井大院工、2.富士電機)

15:00 〜 15:15

[21p-W541-6] Si基板上AlGaN/GaN HEMT構造縦方向リーク電流のAlGaN緩衝層Al組成依存性

〇山岡優哉^1,2、伊藤和宏²、生方映徳¹、矢野良樹¹、田渕俊也¹、松本功¹、江川孝志² (1.大陽日酸、2.名工大)

15:30 〜 15:45

[21p-W541-7] ノーマリオフ GaN HEMTのダイオード動作における耐圧および容量特性

〇加藤直樹¹、永井昂哉¹、成田智隆¹、長田大和²、上村隆一郎²、伊東健治³、分島彰男¹、江川孝¹ (1.名工大院、2.ULVAC、3.金沢工大)

15:45 〜 16:00

[21p-W541-8] 自立GaN基板上イオン注入MISFETのノーマリーオフ動作

〇菅又滉大¹、金田直樹²、三島友義¹、中村徹¹ (1.法政大、2.クオンタムスプレッド)

16:00 〜 16:15

[21p-W541-9] 銅板平坦化によるAlGaN/GaN 転写HEMTの放熱性の改善

〇廣木正伸¹、熊倉一英¹、山本秀樹¹ (1.NTT物性研)

16:15 〜 16:30

[21p-W541-10] カスコード接続したサファイア基板上GaN PSJ（分極超接合）トランジスタの1,000 Vスイッチング特性

〇八木修一¹、平田祥子¹、神山祐輔¹、中村文彦¹、斉藤武尊¹、河合弘治¹ (1.パウデック)

16:30 〜 16:45

[21p-W541-11] 高誘電率絶縁膜を用いたFP電極を有する縦型GaNダイオード

〇吉野理貴¹、堀切文正²、太田博¹、山本康博¹、三島友義¹、中村徹¹ (1.法政大、2.サイオクス)

16:45 〜 17:00

[21p-W541-12] Si 基板上GaAs/GaN ヘテロ接合の縦方向電気特性評価

〇(M1)山條翔二¹、尹翔至¹、梁剣波¹、渡邉則之²、重川直輝¹ (1.大阪市大工、2.NTT 先端集積デバイス研)

一般セッション(口頭講演)

[22a-W541-1~10] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

2016年3月22日(火) 09:00 〜 11:45 W541 (西5号館)

中村成志(首都大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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09:00 〜 09:15

[22a-W541-1] 放射光を用いたX線光電子分光による成膜後アニールを施したALD-HfO₂/AlGaN界面の評価

〇久保俊晴¹、西野剛介¹、江川孝志¹ (1.名工大)

09:15 〜 09:30

△ [22a-W541-2] AlGaN/GaN HEMTへの凹凸AlGaN層導入によるコンタクト抵抗低減効果のメカニズム解明

〇武井優典¹、下田智裕¹、高橋昌靖¹、筒井一生¹、齋藤渉²、角嶋邦之¹、若林整¹、岩井洋¹ (1.東工大、2.東芝セミコンダクター＆ストレージ社)

09:30 〜 09:45

[22a-W541-3] Fe層を挿入したTiN電極とpGaNの電流電圧特性

〇池内勇太¹、若林整¹、筒井一生¹、岩井洋¹、角嶋邦之¹ (1.東工大総理工)

09:45 〜 10:00

[22a-W541-4] 低欠陥密度GaN基板の熱酸化過程の評価

〇山田高寛¹、伊藤丈予¹、淺原亮平¹、渡邉健太¹、野崎幹人¹、中澤敏志²、按田義治²、石田昌宏²、上田哲三²、吉越章隆³、細井卓治¹、志村考功¹、渡部平司¹ (1.阪大院工、2.パナソニック、3.原子力機構)

10:00 〜 10:15

[22a-W541-5] GaN表面熱酸化処理によるMOS界面特性の向上

〇山田高寛¹、伊藤丈予¹、淺原亮平¹、渡邉健太¹、野崎幹人¹、細井卓治¹、志村考功¹、渡部平司¹ (1.阪大院工)

10:30 〜 10:45

△ [22a-W541-6] 高温アニールプロセスがGaN MOSFET特性に与える影響

〇西口賢弥¹、橋詰保¹ (1.北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター)

10:45 〜 11:00

[22a-W541-7] Al₂O₃あるいはAlTiOゲート絶縁膜を用いたInAlN-GaN金属/絶縁体/半導体構造における絶縁体/半導体界面固定電荷

〇山口槙也¹、宇井利昌¹、長谷川貴大¹ (1.北陸先端大)

11:00 〜 11:15

△ [22a-W541-8] 高圧水蒸気処理を施したSiO2/GaN縦型MOSキャパシタの電気的特性評価

〇冨永雄太¹、上野勝典²、吉嗣晃冶¹、多田雄貴¹、石河泰明¹、浦岡行治¹ (1.奈良先端大、2.富士電機)

11:15 〜 11:30

△ [22a-W541-9] 中性粒子ビームエッチングによるAlGaN/GaN HEMTの素子間リーク電流抑制効果

〇邉見ふゆみ¹、 Thomas Cedric²、 Lai Yi-Chun³、肥後昭男³、 Guo Alex⁴、 Warnock Shireen⁴、 del Alamo Jesus A.⁴、寒川誠二^2,3、尾辻泰一¹、末光哲也¹ (1.東北大通研、2.東北大流体研、3.東北大AIMR、4.MTL MIT)

11:30 〜 11:45

[22a-W541-10] 酸化・還元反応場を同一基板上に形成した金属/GaN光触媒薄膜

〇渦巻裕也¹、小野陽子¹、小川重男¹、谷保芳孝²、熊倉一英²、小松武志¹ (1.NTT先デ研、2.NTT物性研)

一般セッション(口頭講演)

[22p-W541-1~8] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

2016年3月22日(火) 13:00 〜 15:00 W541 (西5号館)

重川直輝(大阪市立大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
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13:00 〜 13:15

△ [22p-W541-1] 原子拡散接合で作製されたPIN-ダイオードの電気特性

〇山田友輝¹、魚本幸²、島津武仁²、名田允洋¹、松崎秀昭¹ (1.NTT先端集積デバイス研、2.東北大学)

13:15 〜 13:30

△ [22p-W541-2] 蒸着SiO_x膜を用いたf_T = 300GHz超InSb-HEMTの作製

〇(M2)辻大介¹、磯野恭佑¹、竹鶴達哉¹、藤川紗千恵¹、渡邊一世²、山下良美²、遠藤聡²、原紳介²、笠松章史²、藤代博記¹ (1.東理大院基礎工、2.情報通信研究機構)

13:30 〜 13:45

[22p-W541-3] 50 GHz帯におけるInGaAs/InAlAs HEMTの雑音特性

〇渡邊一世¹、遠藤聡^1,2、三村高志^1,2、笠松章史¹ (1.情報通信研究機構、2.富士通研究所)

13:45 〜 14:00

[22p-W541-4] f_t > 500 GHz を有するメタルサブコレクタInP/InGaAsSb DHBT

〇白鳥悠太¹、星拓也¹、柏尾典秀²、栗島賢二¹、日暮栄治³、松崎秀昭¹ (1.NTT先端集積デバイス研、2.NTTデバイスイノベーションセンタ、3.東京大学)

14:00 〜 14:15

[22p-W541-5] 再成長S/Dを有するInGaAsマルチゲートMOSFETのLch=16nm動作

〇木下治紀¹、木瀬信和¹、祢津誠晃¹、金澤徹¹、宮本恭幸¹ (1.東工大院理工)

14:15 〜 14:30

[22p-W541-6] ダブルNO₂ホールドーピングを用いたダイヤモンド電界効果トランジスタの作製

〇嘉数誠¹、原田和也¹、古賀優太¹、花田賢志¹、大石敏之¹ (1.佐賀大院工)

14:30 〜 14:45

[22p-W541-7] Ga₂O₃ (010)上に堆積したSiO₂膜におけるポストアニールの影響

〇小西敬太¹、上村崇史¹、ワンマンホイ¹、佐々木公平^2,1、倉又朗人²、山腰茂伸²、東脇正高¹ (1.情通機構、2.タムラ製作所)

14:45 〜 15:00

▲ [22p-W541-8] Field-Plated Ga₂O₃ MOSFETs With a Breakdown Voltage of Over 750 V

〇Wong ManHoi¹、 Sasaki Kohei^2,1、 Kuramata Akito²、 Yamakoshi Shigenobu²、 Higashiwaki Masataka¹ (1.NICT、2.Tamura Corp.)

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