一般セッション(口頭講演)
[15a-B10-1~13] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術
2016年9月15日(木) 09:00 〜 12:15 B10 (展示控室1)
△:奨励賞エントリー
▲:英語発表
▼:奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄:どちらもなし
09:00 〜 09:15
〇田牧 祥吾1、 寺脇 功士1、 木元 雄一朗1、 鎌田 航平1、 大参 宏昌1、 垣内 弘章1、 安武 潔1 (1.阪大院工)
09:15 〜 09:30
〇中島 涼介1、 新 良太1、 花房 宏明1、 東 清一郎1 (1.広大院先端研)
09:30 〜 09:45
〇水上 隆達1、 竹島 真治1、 山下 知徳1、 東 清一郎1 (1.広大院先端研)
09:45 〜 10:00
〇葉 文昌1 (1.島根大総合理工)
10:00 〜 10:15
〇東 英実1、 中野 茉莉央1、 工藤 康平1、 藤田 裕一1、 山田 晋也1、 金島 岳1、 角田 功2、 中島 寛3、 浜屋 宏平1 (1.阪大基礎工、2.熊本高専、3.九大産学連携センター)
10:15 〜 10:30
〇大澤 弘樹1、 原 明人1 (1.東北学院大工)
10:30 〜 10:45
〇菱谷 大輔1、 石河 泰明1、 池上 浩2、 Trifunovic Miki3、 石原 良一3、 下田 達也4、 浦岡 行治1 (1.奈良先端大、2.九大シス情、3.デルフト工大、4.北陸先端大)
10:45 〜 11:00
〇鈴木 仁1、 楊 天熙1、 岡田 竜弥1、 野口 隆1、 河本 直哉2 (1.琉大工、2.山口大工)
11:00 〜 11:15
〇鈴木 貴博1、 横川 凌1、 高橋 和也2、 小森 克彦2、 森本 保3、 澤本 直美1、 小椋 厚志1 (1.明治大理工、2.東京エレクトロン東北(株)、3.東京エレクトロン(株))
11:15 〜 11:30
〇横川 凌1、 鈴木 貴博1、 鈴木 涼太1、 高橋 和也2、 小森 克彦2、 森本 保3、 澤本 直美1、 小椋 厚志1 (1.明治大理工、2.東京エレクトロン東北㈱、3.東京エレクトロン㈱)
11:30 〜 11:45
〇沼田 幸展1、 平松 大典1、 中野 賢明1 (1.株式会社 アルバック)
11:45 〜 12:00
〇石塚 典男1、 佐久間 憲之1 (1.日立研開)
12:00 〜 12:15
〇(D)Haochun Tang1、 Chun-Yi Chen1,2、 Tso-Fu Mark Chang1,2、 Daisuke Yamane1,2、 Katsuyuki Machida1,2,3、 Kazuya Masu1,2、 Masato Sone1,2 (1.IIR Tokyo Tech、2.CREST JST、3.NTT AT Corp.)