一般セッション(口頭講演)
[17a-C101-1~11] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術
09:30 〜 09:45
〇武居 則久1、 垣内 弘章1、 安武 潔1、 大参 宏昌1 (1.阪大院工)
09:45 〜 10:00
〇水川 友里1、 中野 航1、 花房 宏明1、 東 清一郎1 (1.広大院先端研)
10:00 〜 10:15
〇原田 大夢1、 花房 宏明1、 東 清一郎1 (1.広大先端研)
10:15 〜 10:30
〇(B)三野 伸晃1、 横川 凌1,3、 鈴木 貴博1、 高橋 和也2、 小森 克彦2、 森本 保2、 澤本 直美1、 小椋 厚志1 (1.明治大理工、2.東京エレクトロンテクノロジーソリューションズ株、3.学振特別研究員)
10:30 〜 10:45
〇餅井 亮介1、 藤井 茉美1、 石河 泰明1、 菅原 祐太2、 野寺 伸武2、 松本 隆夫2、 浦岡 行治1 (1.奈良先端大、2.堺ディスプレイ)
10:45 〜 11:00
〇平岩 弘之1、 グエン ティ トゥイ1、 黒木 伸一郎1 (1.広大ナノデバイス)
11:15 〜 11:30
〇佐々木 伸夫1,2、 Muhammad Arif2、 浦岡 行治2 (1.Sasaki Consulting、2.奈良先端大)
11:30 〜 11:45
Sasaki Nobuo1,2、 〇(M2)razali arif muhammad2、 Uraoka Yukiharu2 (1.Sasaki Consulting、2.NAIST)
11:45 〜 12:00
〇妹川 要1,2、 田中 希1、 諏訪 輝1,2、 中村 大輔1、 佐道 泰造1、 池上 浩1 (1.九大シス情、2.九大ギガフォトン共同部門)
12:00 〜 12:15
〇水上 隆達1、 山下 知徳1、 東 清一郎1 (1.広大院先端研)
12:15 〜 12:30
〇山下 知徳1、 水上 隆達1、 東 清一郎1 (1.広大院先端研)