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13 半導体 » 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

一般セッション(口頭講演)

[16a-A301-1~9] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

2023年3月16日(木) 09:30 〜 12:00 A301 (6号館)

細井卓治(関学大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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09:30 〜 09:45

[16a-A301-1] [第44回論文奨励賞受賞記念講演] SiC MOS反転層における電子散乱過程およびHall移動度のモデリング

〇田中一¹、森伸也¹ (1.阪大院工)

09:45 〜 10:00

[16a-A301-2] 酸窒化膜を用いた SiC MOSFET の反転層における主要なキャリア散乱機構の検証

〇野口宗隆¹、渡邊寛¹、喜多浩之²、西川和康¹ (1.三菱電機(株)、2.東大院新領域)

10:00 〜 10:15

[16a-A301-3] 第一原理計算によるSiC側に導入された窒素の
SiC(11-20)/SiO₂界面近傍における電子状態の計算

〇立木馨大¹、西谷侑将^1,2、岩田潤一^1,2、松下雄一郎^1,2,3 (1.東工大、2.Quemix Inc.、3.QST)

10:15 〜 10:30

[16a-A301-4] ステップを持つSiC MOS界面におけるNO窒化処理の移動度改善効果の解析

〇舩木七星斗¹、横田知真¹、植本光治¹、細井卓治²、小野倫也¹ (1.神戸大工、2.関西学院大工)

10:30 〜 10:45

▼ [16a-A301-5] Understandings of the kinetics of N-incorporation and N-removal reactions for the 4H-SiC surface using the SiC consumption rate as an essential factor

〇(D)Yang Tianlin¹、 Koji Kita^1,2 (1.School of Eng., The Univ. of Tokyo、2.School of Frontier Sci. , The Univ. of Tokyo)

11:00 〜 11:15

△ [16a-A301-6] 4H-SiC/ゲート絶縁膜界面への窒素導入プロセスの低温化の検討

〇佐々木琉¹、中島辰海¹、女屋崇²、喜多浩之^1,2 (1.東大院工、2.東大院新領域)

11:15 〜 11:30

▼ [16a-A301-7] Subthreshold characteristics of 4H-SiC n- and p-channel MOSFETs at low temperature

〇Xilun Chi¹、 Keita Tachiki¹、 Kyota Mikami¹、 Mitsuaki Kaneko¹、 Tsunenobu Kimoto¹ (1.Kyoto Univ.)

11:30 〜 11:45

△ [16a-A301-8] 無極性面を用いた高移動度SiC pチャネルMOSFETの作製と評価

〇三上杏太¹、金子光顕¹、木本恒暢¹ (1.京大院工)

11:45 〜 12:00

[16a-A301-9] チャージポンピング法を用いたpチャネルSiC MOSFETの界面特性評価

〇(M2)秋葉淳宏¹、矢野裕司¹ (1.筑波大学)

一般セッション(ポスター講演)

[16p-PA04-1~24] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

2023年3月16日(木) 13:30 〜 15:30 PA04 (ポスター)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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13:30 〜 15:30

[16p-PA04-1] 界面顕微光応答法によるAu/Ni/p⁺-SiCショットキー接触の二次元評価

〇今林弘毅¹、澤崎仁施¹、吉村遥翔¹、伊藤夏輝¹、加藤正史²、塩島謙次¹ (1.福井大院工、2.名工大)

13:30 〜 15:30

[16p-PA04-2] 4H-SiC/SiO₂界面におけるバンド配列の面方位依存性に関する理論検討

〇(M1)松田隼¹、秋山亨¹、畠山哲夫²、白石賢二³、中山隆史⁴ (1.三重大院工、2.富山県立大工、3.名大未来研、4.千葉大理)

13:30 〜 15:30

[16p-PA04-3] 4H-SiC(11-20)面（a面）MOS界面欠陥の電子スピン共鳴分光（ESR/EDMR）評価

〇近藤蓮¹、染谷満^2,3、渡部平司³、梅田享英¹ (1.筑波大数物、2.産総研、3.阪大工)

13:30 〜 15:30

[16p-PA04-4] ウェット酸化を利用した二重イオン注入4H-SiC MOSFETの製作プロセスに関する研究

〇佐藤勇介^1,2、渡辺聡²、櫻庭政夫^1,2、佐藤茂雄^1,2 (1.東北大工、2.東北大通研)

13:30 〜 15:30

[16p-PA04-5] 4H-SiCへのチャネリングイオン注入における臨界角のシミュレーション

〇西村智朗¹ (1.法政大)

13:30 〜 15:30

[16p-PA04-6] GaN および GaAs のプラズマ照射誘起欠陥の比較

〇山谷朱里¹、大島真弓¹、桑山優太¹、田中優太朗¹ (1.都立大SD)

13:30 〜 15:30

[16p-PA04-7] AlGaN/GaN ヘテロ構造の光電気化学エッチングと反応速度の制御

〇富樫拓也¹、沖勇吾¹、大澤由斗¹、越智亮太¹、佐藤威友¹ (1.北大量集センター)

13:30 〜 15:30

[16p-PA04-8] p-GaN 表面層に対する低損傷 PEC エッチングとその電気化学的評価

〇高津海¹、久保広太¹、佐藤威友¹ (1.北大量集センター)

13:30 〜 15:30

[16p-PA04-9] 光電子ホログラフィーによるGaN表面の窒素原子に関する評価

〇夏井葉月¹、上沼睦典¹、桑原田進吾¹、富田広人¹、橋本由介¹、松下智裕¹、浦岡行治¹ (1.奈良先端大)

13:30 〜 15:30

[16p-PA04-10] 基底状態原子支援化学気相堆積法によるシリコン酸化膜の形成及び評価（２）

〇山形翔¹、尾内亮太¹、鹿田颯吾¹、古川雅一²、若原昭浩¹、岡田浩¹ (1.豊橋技科大、2.アリエースリサーチ(有))

13:30 〜 15:30

[16p-PA04-11] Mgドープp-GaNを用いたMOS構造のサブバンドギャップ光支援C-V特性

〇忽滑谷崇秀¹、玉村祐也¹、高津海¹、佐藤威友¹、赤澤正道¹ (1.北大量集センター)

13:30 〜 15:30

[16p-PA04-12] Mgイオン注入後超高圧アニールを行ったGaNのMOS界面近傍伝導帯付近禁制帯準位の評価

〇畠山優希¹、赤澤正道¹、成田哲生²、 Bockowski Michal^3,4、加地徹³ (1.北大量集センター、2.豊田中研、3.名大未来材料・システム研、4.Unipress)

13:30 〜 15:30

▲ [16p-PA04-13] Comparison of Thermal and ArF Excimer Laser Activation of Mg-doped GaN

〇MariaEmma Castil Villamin¹、 Naotaka Iwata¹ (1.Toyota Tech Inst)

13:30 〜 15:30

[16p-PA04-14] GaNのマイクロ波アニーリングにおける加熱効率の評価と考察

〇中村考志¹、鄭恵貞²、田中敦之²、天野浩² (1.産総研、2.名大)

13:30 〜 15:30

[16p-PA04-15] GaN縦型パワーデバイスにおけるFLR構造の設計に向けたトポロジー最適化の検討

〇(M1)山口拓真¹、野村勝也¹、服部佳晋² (1.関西学院大学、2.大同大学)

13:30 〜 15:30

[16p-PA04-16] 低オン電圧高電流特性を示す環境発電用GaNヘテロ接合整流ダイオード

〇日野晃貴¹、マリアエマヴィリアミン¹、岩田直高¹ (1.豊田工大)

13:30 〜 15:30

[16p-PA04-17] MHz動作GaN-HEMT同期整流回路の検討

〇井手利英^1,2、清水三聡^1,2、高田徳幸¹ (1.産総研電子光、2.産総研GaN-OIL)

13:30 〜 15:30

[16p-PA04-18] 小型アクチュエータ駆動のための窒化物半導体集積回路の検討

〇(M1)秋良芳樹¹、赤松龍弥¹、真下智昭²、岡田浩¹ (1.豊橋技科大、2.岡山大)

13:30 〜 15:30

[16p-PA04-19] Agナノインクより作製したAg/Siショットキーバリアダイオード：焼成条件がダイオード特性に及ぼす影響

〇斉藤大志¹、玉井聡行¹ (1.大阪技術研)

13:30 〜 15:30

▲ [16p-PA04-20] Analysis of Lateral Superjunction Silicon Power Device with Multiple Layers by TCAD Simulation

〇(M2)Peilin Ji¹、 Munetoshi Fukui¹、 Takuya Saraya¹、 Masaharu Kobayashi¹、 Toshiro Hiramoto¹ (1.The Univ. of Tokyo)

13:30 〜 15:30

[16p-PA04-21] 超ワイドバンドギャップ酸化物混晶のバリガ性能指数の評価

〇太田優一¹、金子健太郎²、尾沼猛儀³、藤田静雄⁴ (1.都産技研、2.立命館大学、3.工学院大学、4.京都大学)

13:30 〜 15:30

[16p-PA04-22] 耐圧650Vパワーデバイスのボディダイオードのリカバリ特性比較

〇服部佳晋¹、加地徹² (1.大同大学、2.名古屋大学　未来材料・システム研究所)

13:30 〜 15:30

[16p-PA04-23] 低熱膨張Fe-Ni合金メッキを用いたパワーデバイス向け応力緩和型実装

〇小柴佳子^1,2、巽宏平^1,2 (1.早大院情シス、2.早大情シス研究センター)

13:30 〜 15:30

▲ [16p-PA04-24] Non-Destructive Failure Analysis Method for Semiconductor Packages Based on Dynamic Thermal Response

〇Byongjin Ma¹、 Taehee Jung¹、 Sungsoon Choi¹ (1.KETI)

一般セッション(口頭講演)

[16p-A301-7~12] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

2023年3月16日(木) 16:00 〜 17:30 A301 (6号館)

朽木克博(豊田中研)

△：奨励賞エントリー
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16:00 〜 16:15

[16p-A301-7] [第53回講演奨励賞受賞記念講演] 熱酸化SiO₂/SiC界面近傍に形成されるSiC中の深い準位

〇藤井開¹、鐘ヶ江一孝¹、金子光顕¹、木本恒暢¹ (1.京大院工)

16:15 〜 16:30

[16p-A301-8] 4H-SiC(0001)表面のCO₂雰囲気中熱酸化機構に関する考察

出口竜大¹、〇細井卓治¹ (1.関学大工)

16:30 〜 16:45

[16p-A301-9] 高濃度Pイオン注入による金属/SiC非合金化界面におけるコンタクト抵抗低減

〇原征大¹、金子光顕¹、木本恒暢¹ (1.京大院工)

16:45 〜 17:00

[16p-A301-10] 偏光を用いたチャネリングイオン注入の角度検出

丸橋拓実¹、佐藤寿弥¹、米澤喜幸²、〇加藤正史¹ (1.名工大、2.産総研)

17:00 〜 17:15

[16p-A301-11] 4H-SiC(0001)へのAlチャネリングイオン注入に対する電子阻止断面積の再評価

〇望月和浩¹、西村智朗¹、三島友義¹ (1.法政大)

17:15 〜 17:30

[16p-A301-12] レーザードーピングによる低抵抗4H-SiCｎ型層の形成

〇妹川要¹、納富良一¹、宇佐見康継¹ (1.ギガフォトン（株）)

一般セッション(口頭講演)

[17a-A301-1~9] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

2023年3月17日(金) 09:00 〜 11:30 A301 (6号館)

佐藤威友(北大)

△：奨励賞エントリー
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09:00 〜 09:15

[17a-A301-1] β-Ga₂O₃ショットキーバリアダイオードにおけるFranz-Keldysh効果に起因した光電流

〇前田拓也¹、江間研太郎²、佐々木公平² (1.東大院工、2.ノベルクリスタルテクノロジー)

09:15 〜 09:30

[17a-A301-2] 1700V耐圧β型酸化ガリウムショットキーバリアダイオード

〇有馬潤¹、藤田実¹、川崎克己¹、平林潤¹ (1.TDK)

09:30 〜 09:45

[17a-A301-3] アンペア級β-Ga₂O₃ヘテロJBSダイオードの作製とスイッチング評価

〇高塚章夫¹、宮本広信¹、佐々木公平¹、倉又朗人¹ (1.ノベルクリスタルテクノロジー)

09:45 〜 10:00

[17a-A301-4] (Al_xGa_1-x)₂O₃バックバリアを用いた横型Ga₂O₃ MOSFETの高周波特性

〇大槻匠¹、上村崇史¹、東脇正高^1,2 (1.情通機構、2.大阪公立大院工)

10:00 〜 10:15

[17a-A301-5] 界面形成手法によるSiO₂/β-Ga₂O₃(001)バンドアライメントの違いの考察

〇武田大樹¹、女屋崇²、生田目俊秀³、喜多浩之^1,2 (1.東大院工、2.東大院新領域、3.物材機構)

10:30 〜 10:45

[17a-A301-6] 窒素ドープウエル層を有するノーマリーオフβ-Ga₂O₃トレンチMOSFET

〇脇本大樹¹、林家弘¹、ティユクァントゥ¹、宮本広信¹、佐々木公平¹、倉又朗人¹ (1.ノベルクリスタルテクノロジー)

10:45 〜 11:00

[17a-A301-7] ダイヤモンドMOSFETにおけるドリフト抵抗フリー構造の提案

〇松本翼¹、佐藤解¹、中村勇斗¹、 Traore Aboulaye²、牧野俊晴³、加藤宙光³、小倉政彦³、市川公善¹、林寛¹、猪熊孝夫¹、山崎聡¹、德田規夫¹ (1.金沢大、2.筑波大、3.産総研)

11:00 〜 11:15

[17a-A301-8] ダイヤモンドMOSFETの高速(<10ns)スイッチング特性

サハニロイ　チャンドラ¹、白土智基¹、金聖祐²、小山浩司²、大石敏之¹、〇嘉数誠¹ (1.佐賀大院工、2.Orbray（株）)

11:15 〜 11:30

[17a-A301-9] ダイヤモンドMOSFETの長時間(190h)ストレス測定

サハニロイチャンドラ¹、白土智基¹、金聖祐²、小山浩司²、大石敏之¹、〇嘉数誠¹ (1.佐賀大院工、2.Orbray（株）)

一般セッション(口頭講演)

[17p-A301-1~18] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

2023年3月17日(金) 13:00 〜 18:00 A301 (6号館)

加藤正史(名工大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
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13:00 〜 13:15

△ [17p-A301-1] サーマルロックインによるGaN HEMTのゲートリーク電流箇所の同定

〇(B)崎田由樹¹、小林久雄²、馬強¹、齊藤裕人¹、大崎賢司¹、伊東俊祐¹、分島彰男¹ (1.名工大工、2.日本バーンズ)

13:15 〜 13:30

[17p-A301-2] HVPE 基板および OVPE 基板上 GaN エピ層に対する TR-PL 信号の相違

〇石井達也¹、宇佐美茂佳²、勇介森²、渡邉浩崇³、新田州吾³、本田善央³、天野浩³、加藤正史¹ (1.名工大院工、2.阪大院工、3.名大未来研)

13:30 〜 13:45

[17p-A301-3] 超高圧熱処理で活性化したMg注入横型MOSFETのチャネル特性

〇田中亮¹、高島信也¹、上野勝典¹、近藤剣¹、稲本拓朗¹、江戸雅晴¹、 Michal Bockowski²、加地徹³ (1.富士電機、2.Unipress、3.名大)

13:45 〜 14:00

△ [17p-A301-4] 単結晶AlN基板上AlGaInN/GaN HEMTの作製と特性評価(Ⅱ)

〇川出智之¹、田中さくら¹、江川孝志¹、三好実人¹ (1.名工大工)

14:00 〜 14:15

[17p-A301-5] 単結晶AlN基板上への高AlN比Al_0.7Ga_0.3NチャネルHFETの作製

〇川出智之¹、田中さくら¹、米谷宜展¹、江川孝志¹、三好実人¹ (1.名工大工)

14:15 〜 14:30

△ [17p-A301-6] 電子線照射により窒素変位関連欠陥を選択的に導入したホモエピタキシャル成長GaN p-n接合ダイオードの再結合電流解析

〇遠藤彗¹、堀田昌宏^1,2、須田淳^1,2 (1.名大院工、2.名大未来研)

14:45 〜 15:00

[17p-A301-7] 137 keVの電子線照射で意図的に窒素関連欠陥準位を導入したn型GaNのホール効果測定

〇小島千寛¹、堀田昌宏^1,2、須田淳^1,2 (1.名大院工、2.名大未来研)

15:00 〜 15:15

[17p-A301-8] GaN pn接合の容量過渡分光法においてフィリングパルス0 V印加にもかかわらず観測される少数キャリアシグナルの起源

〇清水威杜¹、大橋拓斗¹、冨田一義²、堀田昌宏^1,2、須田淳^1,2 (1.名大院工、2.名大IMaSS)

15:15 〜 15:30

[17p-A301-9] Mgイオン注入GaN中の自己欠陥とMgの拡散に対する静水圧の影響

〇狩野絵美¹、小林功季¹、大築立旺¹、片岡恵太²、成田哲生²、 Sierakowski Kacper³、 Bockowski Michal³、加地徹¹、五十嵐信行¹ (1.名古屋大、2.豊田中研、3.IHPP PAS)

15:30 〜 15:45

[17p-A301-10] GaNにおけるMgアクセプターの拡散機構の理論的検討

〇(P)制野かおり^1,2、押山淳¹、櫻井亮介³、白石賢二^1,3 (1.名大未来研、2.イエナ大物理、3.名大院工)

15:45 〜 16:00

[17p-A301-11] GaN基板の低コスト、低CO₂排出に寄与するリサイクルプロセス技術の開発

〇大原淳士¹、長屋正武¹、原一都¹、星真一¹、金村高司¹、牛島隆志¹、石田崇¹、中林正助¹、加藤孝三¹、小山貴之¹、長里喜隆¹、鶴田和弘¹、小島淳^1,2、恩田正一^1,2、上杉勉²、田中敦之²、笹岡千秋²、須田淳²、原佳祐³、河口大祐³、久野耕司³、筬島哲也³ (1.ミライズ、2.名古屋大、3.浜ホト)

16:00 〜 16:15

[17p-A301-12] GaNリサイクル基板上に作製した縦型PNDと横型MOSFETの電気特性評価

〇石田崇¹、牛島隆志¹、中林正助¹、加藤孝三¹、小山貴之¹、長里喜隆¹、大原淳士¹、星真一¹、長屋正武¹、原一都¹、金村高司¹、鶴田和弘¹、小島淳^1,2、上杉勉²、田中敦之²、笹岡千秋²、恩田正一^1,2、須田淳²、原佳祐³、河口大祐³、久野耕司³、筬島哲也³ (1.ミライズテクノロジーズ、2.名古屋大学、3.浜松ホトニクス)

16:30 〜 16:45

[17p-A301-13] N極性GaN HEMTのデジタルエッチングによる素子分離

〇斉藤光亮¹、佐野春樹¹、中川亮¹、真壁勇夫²、中田健²、後藤高寛¹、宮本恭幸¹ (1.東工大、2.住友電気工業)

16:45 〜 17:00

[17p-A301-14] オーミック金属下n-GaN における電子移動度の向上

〇瓜生和也^1,2、 Deng Yuchen¹、 Le Son Phuong³、鈴木寿一¹ (1.北陸先端大、2.アドバンテスト研、3.Linköping大)

17:00 〜 17:15

[17p-A301-15] AlGaN/GaN HEMTsにおけるフェルミレベルピンニングに対するPECエッチングの効果

〇越智亮太¹、富樫拓也¹、大澤由斗¹、堀切文正²、福原昇²、赤澤正道¹、佐藤威友¹ (1.北大量集センター、2.住友化学)

17:15 〜 17:30

[17p-A301-16] エッチング停止位置検出層の導入によるゲートリセス構造AlGaN/GaN HEMTのしきい値電圧制御性の向上

〇大石健介¹、高橋英匡¹、安藤裕二^1,2、分島彰男³、須田淳^1,2 (1.名大院工、2.名大未来研、3.名工大)

17:30 〜 17:45

[17p-A301-17] InAlN/AlN/GaN構造中2DEGにおけるキャリア散乱機構のAlN層厚依存性

〇小森勇太¹、筒井一生¹、星井拓也¹、角嶋邦之¹、若林整¹、宮野清孝²、依田孝^2,1、水島一郎^1,2、津久井雅之² (1.東工大電気電子系、2.ニューフレアテクノロジー)

17:45 〜 18:00

[17p-A301-18] ゲート電圧の観測によるパワーデバイスの熱時定数の導出手法

〇野村昌弘¹、森時彦¹、桜井貴康¹ (1.東大院工)

一般セッション(口頭講演)

[18a-A301-1~13] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

2023年3月18日(土) 09:00 〜 12:30 A301 (6号館)

牧山剛三(住友電工)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
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09:00 〜 09:15

[18a-A301-1] [第44回論文奨励賞受賞記念講演] GaN 基板上 GaN-HEMT による高周波増幅器の高効率化

〇熊崎祐介¹、多木俊裕¹、小谷淳二¹、尾崎史朗¹、美濃浦優一¹、西森理人¹、岡本直哉¹、佐藤優¹、中村哲一¹ (1.富士通(株))

09:15 〜 09:30

[18a-A301-2] GaN-MOSFET における反転層移動度の酸化膜成膜方法依存性

〇(M1)幾田大智¹、佐藤翔太¹、大森雅登¹ (1.大分大工)

09:30 〜 09:45

[18a-A301-3] GaN MOSFETの界面酸化抑制によるしきい値・移動度特性改善

〇近藤剣¹、上野勝典¹、田中亮¹、高島信也¹、江戸雅晴¹、諏訪智之² (1.富士電機、2.東北大NICHe)

09:45 〜 10:00

[18a-A301-4] 表面にAl導入したGaN-MOSFETの特性

〇上野勝典¹、近藤剣¹、田中亮¹、高島信也¹、江戸雅晴¹、諏訪智之² (1.富士電機（株）、2.東北大NICHe)

10:00 〜 10:15

[18a-A301-5] EID AlGaN/GaN MOS-HEMTのスイッチング動作実証

〇南條拓真¹、山本章太郎¹、品川友宏¹、綿引達郎¹、古橋壮之¹、西川和康¹、江川孝志² (1.三菱電機　先端総研、2.名工大)

10:15 〜 10:30

△ [18a-A301-6] 縦型GaNトレンチMOSFETのサブバンドギャップ光照射によるしきい値変動

〇(M1)稲垣光希¹、岡徹^2,3、田中成明³、長谷川一也³、泉貴富³、伊奈務³、西尾剛³、丹羽隆樹³、須田淳^1,2 (1.名大院工、2.名大未来研、3.豊田合成)

10:45 〜 11:00

△ [18a-A301-7] GaN/AlN共鳴トンネルダイオードの動作電圧低減・高電流密度化

〇岩田大暉¹、隈部岳瑠¹、渡邉浩崇²、出来真斗³、本田善央²、天野浩^2,3,4 (1.名大院工、2.名大未来研、3.名大 VBL、4.赤﨑記念研究センター)

11:00 〜 11:15

△ [18a-A301-8] 900V 級縦型 GaN p-n 接合ダイオードにおける貫通転位の有無による逆方向リーク電流のメカニズム

〇權熊¹、川崎晟也¹、渡邉浩崇²、田中敦之²、本田善央²、池田宏隆⁴、磯憲司^2,4、天野浩^2,3,5 (1.名大院工、2.名大未来研、3.名大 VBL、4.三菱ケミカル、5.赤﨑記念研究センター)

11:15 〜 11:30

△ [18a-A301-9] 高抵抗CドープGaNバッファ層を有するN極性GaN HEMT

〇吉屋佑樹¹、星拓也¹、堤卓也¹、杉山弘樹¹、中島史人¹ (1.NTT先端集積デバイス研)

11:30 〜 11:45

[18a-A301-10] マイクロ波帯Hi-Lo型GaN IMPATTダイオードの設計および作製

〇川崎晟也¹、隈部岳瑠¹、出来真斗^1,2、渡邉博崇³、田中敦之³、本田善央³、新井学³、天野浩^2,3 (1.名大院工、2.名大VBL、3.名大未来研)

11:45 〜 12:00

[18a-A301-11] マイクロ波整流用AlGaN/GaNワイドリセス構造ゲーテッドアノードダイオードの高耐圧化に向けた中濃度コンタクト層の活用

〇渡邉智也¹、高橋英匡¹、安藤裕二^1,2、分島彰男³、須田淳^1,2 (1.名大院工、2.名大未来研、3.名工大)

12:00 〜 12:15

[18a-A301-12] GaN HEMTのGaNトラップによるY₂₂信号と過渡応答特性の比較

〇大石敏之¹、加地大樹¹、田渕田渕¹、大塚友絢²、山口裕太郎²、新庄真太郎²、山中宏治² (1.佐賀大学、2.三菱電機株式会社)

12:15 〜 12:30

[18a-A301-13] GaN HEMT on-diamond構造の作製及び特性評価

〇(M1)早川譲稀¹、大野裕²、永井康介²、重川直輝¹、梁剣波¹ (1.大阪公大院工、2.東北大学金研)

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