一般セッション(口頭講演)
[12p-B401-1~16] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術
13:15 〜 13:30
〇(B)浜屋 有志1、 岡本 萌1、 新海 聡子1 (1.九工大)
13:30 〜 13:45
〇(B)澤田 尭廣1、 大堀 大介1、 菅原 健太3、 岡田 政也3、 井上 和孝3、 佐藤 大輔4、 栗原 秀行4、 寒川 誠二1,2 (1.東北大流体研、2.東北大AIMR、3.住友電工、4.昭和電工)
13:45 〜 14:00
〇吉屋 佑樹1、 星 拓也1、 杉山 弘樹1、 松崎 秀昭1 (1.NTT先端集積デバイス研)
14:00 〜 14:15
〇鐘ヶ江 一孝1、 山田 真嗣2,3,4、 堀田 昌宏1,3,4、 木本 恒暢1、 須田 淳1,3,4 (1.京大院工、2.アルバック半電研、3.名大未来材料・システム研究所、4.名大院工)
14:15 〜 14:30
〇(D)渡久地 政周1、 三輪 和希1、 堀切 文正2、 福原 昇2、 成田 好伸2、 市川 磨2、 磯野 僚多2、 田中 丈士2、 佐藤 威友1 (1.北大量集センター、2.サイオクス)
14:30 〜 14:45
〇堀切 文正1、 福原 昇1、 太田 博2、 浅井 直美2、 成田 好伸1、 吉田 丈洋1、 三島 友義2、 渡久地 政周3、 三輪 和希3、 大神 洸貴3、 佐藤 威友3 (1.サイオクス、2.法政大、3.北大)
14:45 〜 15:00
〇(M1)三輪 和希1、 大神 洸貴1、 渡久地 政周1、 堀切 文正2、 福原 昇2、 成田 好伸2、 吉田 丈洋2、 佐藤 威友1 (1.北大量集センター、2.サイオクス)
15:00 〜 15:15
〇松田 陵1、 堀切 文正2、 成田 好伸2、 吉田 丈洋2、 三島 友義3、 塩島 謙次1 (1.福井大院工、2.サイオクス、3.法政大)
15:30 〜 15:45
小笠原 直1、 吉本 昌広1、 〇児玉 和樹2、 上田 大助2 (1.京都工芸繊維大学、2.名古屋大学)
15:45 〜 16:00
〇前田 拓也1、 成田 哲生2、 山田 真嗣3,4,5、 加地 徹3、 木本 恒暢1、 堀田 昌宏1,3,5、 須田 淳1,3,5 (1.京大院工、2.豊田中研、3.名大 未来材料・システム研究所、4.アルバック半電研、5.名大院工)
16:00 〜 16:15
〇高橋 英匡1、 安藤 裕二1、 山口 椋平3、 分島 彰男3、 須田 淳1,2 (1.名大院工、2.名大未来研、3.名工大)
16:15 〜 16:30
〇(M1)毛利 匡裕1、 早坂 明泰1、 眞壁 勇夫2、 吉田 成輝2、 後藤 高寛1、 宮本 恭幸1 (1.東工大工、2.住友電気工業)
16:30 〜 16:45
〇内田 昌宏1,2、 川角 優斗2、 西村 一巳1、 塩島 謙次2 (1.NTT-AT、2.福井大院工)
16:45 〜 17:00
〇高橋 言緒1、 西村 辰彦2、 中西 英俊2、 川山 巌3,4、 斗内 政吉3、 清水 三聡1、 高田 徳幸1 (1.産総研、2.SCREEN、3.阪大レーザー研、4.京大院エネ科)
17:00 〜 17:15
〇安藤 裕二1、 須田 淳1,2 (1.名大院工、2.名大未来研)
17:15 〜 17:30
〇Qiang Ma1、 Yuji Ando2、 Akio Wakejima1 (1.NITech.、2.Nagoya Univ.)