2016年第63回応用物理学会春季学術講演会

セッション一覧

13 半導体 » 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

一般セッション(口頭講演)

[19a-S423-1~13] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

2016年3月19日(土) 09:00 〜 12:30 S423 (南4号館)

佐々木 実(豊田工大)、角村 貴昭(東京エレクトロン)

△:奨励賞エントリー
▲:英語発表
▼:奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄:どちらもなし

09:45 〜 10:00

三浦 典子1、 山田 武史1,2、 相澤 洸1,2、 池田 伸一1,3、 石田 夕起1,3、 三ヶ原 孝則1,3、 西里 洋1,4、 梅山 規男1,3、 大西 康弘1,2、 クンプアン ソマワン1,3、 原 史朗1,3 (1.ミニマルファブ、2.米倉製作所、3.産総研、4.堀場エステック)

一般セッション(口頭講演)

[19p-S423-1~17] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

2016年3月19日(土) 13:45 〜 18:15 S423 (南4号館)

中村 友二(富士通研)、角嶋 邦之(東工大)

△:奨励賞エントリー
▲:英語発表
▼:奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄:どちらもなし

15:15 〜 15:30

〇(B)大場 俊輔1、 橋本 修一郎1、 武井 康平1、 ソン セイ1、 張 旭1、 徐 泰宇1、 麻田 修平1、 臼田 稔宏1、 遠藤 清1、 富田 基裕1,2,3、 徳武 寛紀3、 今井 亮佑3、 小椋 厚志3、 松川 貴4、 昌原 明植4、 渡邉 孝信1 (1.早大理工、2.学振PD、3.明大理工、4.産総研)

一般セッション(口頭講演)

[20a-S423-1~9] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

2016年3月20日(日) 09:00 〜 12:15 S423 (南4号館)

佐々木 実(豊田工大)

△:奨励賞エントリー
▲:英語発表
▼:奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄:どちらもなし

一般セッション(口頭講演)

[20p-S423-1~19] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

2016年3月20日(日) 13:45 〜 18:45 S423 (南4号館)

東 清一郎(広島大)、原 明人(東北学院大)

△:奨励賞エントリー
▲:英語発表
▼:奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄:どちらもなし

一般セッション(ポスター講演)

[21p-P17-1~26] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

2016年3月21日(月) 16:00 〜 18:00 P17 (屋内運動場)

△:奨励賞エントリー
▲:英語発表
▼:奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄:どちらもなし

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